LM50 和 LM50HV 器件能夠很好地處理電容負(fù)載。LM50 和 LM50HV 無(wú)需任何特殊的預(yù)防措施，即可驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1μF 的電容負(fù)載。這些器件具有標(biāo)稱 2kΩ 輸出阻抗（如 功能方框圖 所示）。輸出電阻器的溫度系數(shù)約為 1300ppm/°C。考慮到該溫度系數(shù)和電阻器的初始容差，器件的輸出阻抗不會(huì)超過(guò) 4kΩ。在噪聲極大的環(huán)境中，可能需要添加濾波以更大限度地減少噪聲拾取。TI 建議在 +V_S 和 GND 之間添加一個(gè) 0.1μF 電容器以旁路電源電壓。可能需要在 V_O 和接地端之間添加一個(gè)電容器 (C_Load)。具有 4kΩ 輸出阻抗的 1μF 輸出電容器形成一個(gè) 40Hz 的低通濾波器。由于 LM50 和 LM50HV 的熱時(shí)間常數(shù)比 RC 形成的 25ms 時(shí)間常數(shù)慢得多，因此器件的整體響應(yīng)時(shí)間不會(huì)受到顯著影響。對(duì)于更大的電容器，這種額外的時(shí)間滯后會(huì)增加 LM50 和 LM50HV 的總體響應(yīng)時(shí)間。

圖 8-2 LM50 和 LM50HV 電容負(fù)載無(wú)需去耦

圖 8-3 具有濾波器且適用于噪聲環(huán)境的 LM50 和 LM50HV

為了避免啟動(dòng)電源（輸入）響應(yīng)的出現(xiàn)干擾，尤其是當(dāng) LM50（新芯片）和 LM50HV 器件上未使用 C_By-pass 時(shí)（如圖 6-20、圖 8-4 和圖 8-5 所示），必須在 V_O 和接地之間放置最小 C_Load，特別是當(dāng)在比較器電路中使用 LM50（新芯片）和 LM50HV 器件時(shí)。

圖 8-4 +V_S = 3.3V 階躍時(shí)的啟動(dòng)響應(yīng)（當(dāng) t_r = 1μs、無(wú) C_Load 和 C_By-pass 時(shí)）

圖 8-5 +V_S = 36V 階躍時(shí)的啟動(dòng)響應(yīng)（當(dāng) t_r = 1μs，無(wú) C_Load 和 C_By-pass 時(shí)）

最小 C_Load 電容器隨不同的工作溫度范圍和電源斜升速率而變化，如表 8-2 所示。請(qǐng)注意，上升時(shí)間 (t_r) 可通過(guò)以下公式轉(zhuǎn)換為電源 (SR) 的斜升速率：SR (V/μs) = 0.8 × +V_S (V) / t_r (μs)。

圖 8-6 和圖 8-7 顯示斜升速率約為 3.3V/μs 時(shí) 3.3V 和 36V 電源的啟動(dòng)階躍響應(yīng)（不使用 C_By-pass）。各圖顯示消除干擾過(guò)沖時(shí)空載和所需最小 C_Load 的輸出響應(yīng)。工作溫度為 –40°C 時(shí)會(huì)發(fā)生最壞情況（如表 8-2 所示）。

圖 8-6 SR = 3.3V/μs 且無(wú) C_By-pass 時(shí)，+V_S = 3.3V 階躍的啟動(dòng)響應(yīng)（無(wú) C_Load 且 C_Load = 0.33nF）

圖 8-7 SR = 3.3V/μs 且無(wú) C_By-pass 時(shí)，+V_S = 36V 階躍的啟動(dòng)響應(yīng)（無(wú) C_Load 且 C_Load = 10nF）