ZHCSOZ2I July 1999 – October 2025 LM50 , LM50HV
PRODUCTION DATA
8.2.1.2.1 電容旁路和負載
LM50 和 LM50HV 器件能夠很好地處理電容負載。LM50 和 LM50HV 無需任何特殊的預防措施，即可驅動高達 1μF 的電容負載。這些器件具有標稱 2kΩ 輸出阻抗（如 功能方框圖 所示）。輸出電阻器的溫度系數約為 1300ppm/°C。考慮到該溫度系數和電阻器的初始容差，器件的輸出阻抗不會超過 4kΩ。在噪聲極大的環境中，可能需要添加濾波以更大限度地減少噪聲拾取。TI 建議在 +VS 和 GND 之間添加一個 0.1μF 電容器以旁路電源電壓。可能需要在 VO 和接地端之間添加一個電容器 (CLoad)。具有 4kΩ 輸出阻抗的 1μF 輸出電容器形成一個 40Hz 的低通濾波器。由于 LM50 和 LM50HV 的熱時間常數比 RC 形成的 25ms 時間常數慢得多，因此器件的整體響應時間不會受到顯著影響。對于更大的電容器，這種額外的時間滯后會增加 LM50 和 LM50HV 的總體響應時間。
圖 8-2 LM50 和 LM50HV 電容負載無需去耦
圖 8-3 具有濾波器且適用于噪聲環境的 LM50 和 LM50HV為了避免啟動電源（輸入）響應的出現干擾，尤其是當 LM50（新芯片）和 LM50HV 器件上未使用 CBy-pass 時（如圖 6-20、圖 8-4 和圖 8-5 所示），必須在 VO 和接地之間放置最小 CLoad，特別是當在比較器電路中使用 LM50（新芯片）和 LM50HV 器件時。
圖 8-4 +VS = 3.3V 階躍時的啟動響應（當 tr = 1μs、無 CLoad 和 CBy-pass 時）
圖 8-5 +VS = 36V 階躍時的啟動響應（當 tr = 1μs，無 CLoad 和 CBy-pass 時）最小 CLoad 電容器隨不同的工作溫度范圍和電源斜升速率而變化，如表 8-2 所示。請注意，上升時間 (tr) 可通過以下公式轉換為電源 (SR) 的斜升速率：SR (V/μs) = 0.8 × +VS (V) / tr (μs)。
負載電容 | +VS = 3.3V | +VS = 5V | +VS = 36V | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| tr = 0.1μs | tr = 1μs | tr = 0.1μs | tr = 1μs | tr = 0.1μs | tr = 1μs | |
| CLoad（最小值） TA = -40°C 時 | 0.33nF | 0.33nF | 0.47nF | 0.47nF | 10nF | 10nF |
| CLoad（最小值） TA = 25°C 時 | 0.02nF | 不適用 | 0.05nF | 0.05nF | 0.68nF | 0.68nF |
| CLoad（最小值） TA = 150°C 時 | 不適用 | 不適用 | 不適用 | 不適用 | 0.12nF | 0.12nF |
圖 8-6 和圖 8-7 顯示斜升速率約為 3.3V/μs 時 3.3V 和 36V 電源的啟動階躍響應（不使用 CBy-pass）。各圖顯示消除干擾過沖時空載和所需最小 CLoad 的輸出響應。工作溫度為 –40°C 時會發生最壞情況（如表 8-2 所示）。
圖 8-6 SR = 3.3V/μs 且無 CBy-pass 時，+VS = 3.3V 階躍的啟動響應（無 CLoad 且 CLoad = 0.33nF）
圖 8-7 SR = 3.3V/μs 且無 CBy-pass 時，+VS = 36V 階躍的啟動響應（無 CLoad 且 CLoad = 10nF）