盡可能地減少雜散或寄生柵極環(huán)路電感是優(yōu)化柵極驅動開關性能的關鍵，因為無論是與 MOSFET 柵極電容諧振的串聯柵極電感，還是共源電感（柵極和功率回路常見），都會提供與柵極驅動命令相反的負反饋補償，從而導致 MOSFET 開關時間延長。以下環(huán)路非常重要：
- 環(huán)路 3：高側 MOSFET，QH。在高側 MOSFET 導通期間，大電流從自舉電容器流向柵極驅動器和高側 MOSFET，然后再通過 SW 連接流回到啟動電容器的負端子。相反，若要關斷高側 MOSFET，大電流從自舉（啟動）電容器流向柵極驅動器和高側 MOSFET，然后再通過 SW 連接流回到啟動電容器的負端子。
- 環(huán)路 4：低側 MOSFET，QL。在低側 MOSFET 導通期間，大電流從 VCC 去耦電容器流向柵極驅動器和低側 MOSFET，然后再通過接地端流回電容器的負端子。相反，若要關斷低側 MOSFET，大電流從低側 MOSFET 的柵極流向柵極驅動器和 GND，然后再通過接地端流回低側 MOSFET 的源極。
在使用高速 MOSFET 柵極驅動電路進行設計時，TI 建議遵循以下電路布局指南。
- 從柵極驅動器輸出（HO 和 LO）到高側或低側 MOSFET 相應柵極的連接必須盡可能短，從而減少串聯寄生電感。請注意，峰值柵極驅動電流可高達幾安培。使用 0.65mm (25mil) 或更寬的跡線。在必要時，沿著這些跡線使用直徑至少 0.5mm (20mil) 的通孔。將 HO 和 SW 跡線作為差分對從器件布放到高側 MOSFET，從而充分利用磁通抵消。另外，將 LO 跡線和 PGND 跡線/銅面積作為差分對從器件布放到低側 MOSFET，從而充分利用磁通抵消。
- 將自舉電容器 CCBOOT 靠近器件的 CBOOT 和 SW 引腳放置，從而盡可能地減少與高側驅動器相關聯的環(huán)路 3 面積。類似地，將 VCC 電容器 CVCC 靠近器件的 VCC 和 PGND 引腳放置，從而盡可能地減少與低側驅動器相關聯的環(huán)路 4 面積。