ZHCSNB5B June 2021 – February 2025 LM25148-Q1
PRODUCTION DATA
LM25148-Q1 包含柵極驅動器和一個關聯的高側電平轉換器來驅動外部 N 溝道 MOSFET。高側柵極驅動器與內部自舉二極管 DBOOT 和自舉電容器 CBOOT 搭配使用。在低側 MOSFET 的導通間隔期間,SW 電壓約為 0V,而 CBOOT 通過內部 DBOOT 從 VCC 充電。TI 建議使用短跡線在 CBOOT 和 SW 引腳之間連接一個 0.1μF 陶瓷電容器。
LO 和 HO 輸出由自適應死區時間方法進行控制,因此兩個輸出(HO 和 LO)絕不會同時啟用,從而防止出現跨導。在允許啟用 LO 驅動器輸出之前,自適應死區時間邏輯會先禁用 HO 并等待 HO 電壓降至 2V(典型值)以下。然后,會允許 LO 在短暫延遲(HO 下降至 LO 上升延遲)后啟用。同樣,HO 導通會延遲,直到 LO 電壓降至 2V 以下。該技術可確保任何尺寸的 N 溝道功率 MOSFET 實現(包括并聯 MOSFET 配置)具有足夠的死區時間。
添加串聯柵極電阻器時要格外小心,因為這可能影響有效死區時間。所選的高側 MOSFET 確定了相應自舉電容值 CBOOT,如方程式 12 所示。

其中
若要確定 CBOOT,請選擇合適的 ΔVCBOOT,使可用的柵極驅動電壓不會受到顯著影響。ΔVCBOOT 的可接受范圍為 100mV 至 300mV。自舉電容器必須為低 ESR 陶瓷電容器,典型值為 0.1μF。請使用具有邏輯電平柵極閾值電壓的高側和低側 MOSFET。