ZHCSNL8 May 2022 LM25143-Q1
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說明（續）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規格
-
9 詳細說明
- 9.1 概述
- 9.2 功能方框圖
- 9.3
特性說明
- 9.3.1 輸入電壓范圍 (VIN)
- 9.3.2 高壓偏置電源穩壓器（VCC、VCCX、VDDA）
- 9.3.3 使能（EN1、EN2）
- 9.3.4 電源正常監視器（PG1、PG2）
- 9.3.5 開關頻率 (RT)
- 9.3.6 時鐘同步 (DEMB)
- 9.3.7 同步輸出 (SYNCOUT)
- 9.3.8 擴頻調頻 (DITH)
- 9.3.9 可配置軟啟動（SS1、SS2）
- 9.3.10 輸出電壓設定點（FB1、FB2）
- 9.3.11 最短可控導通時間
- 9.3.12 誤差放大器和 PWM 比較器（FB1、FB2、COMP1、COMP2）
- 9.3.13 斜率補償
- 9.3.14 電感器電流感測（CS1、VOUT1、CS2、VOUT2）
- 9.3.15 斷續模式電流限制 (RES)
- 9.3.16 高側和低側柵極驅動器（HO1、HO2、LO1、LO2、HOL1、HOL2、LOL1 和 LOL2）
- 9.3.17 輸出配置 (MODE, FB2)
- 9.4 器件功能模式
- 10應用和實現
- 11電源相關建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機械、封裝和可訂購信息
9.3.16 高側和低側柵極驅動器（HO1、HO2、LO1、LO2、HOL1、HOL2、LOL1 和 LOL2）
LM25143-Q1 包含 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器和一個關聯的高側電平轉換器來驅動外部 N 溝道 MOSFET。將高側柵極驅動器與外部自舉二極管 DBST 和自舉電容器 CBST 搭配使用。請參閱#SNVSA023747。在低側 MOSFET 的導通間隔期間，SW 電壓約為 0V，而 CBST 通過 DBST 從 VCC 充電。TI 建議使用短跡線在 HB 和 SW 引腳之間連接一個 0.1μF 陶瓷電容器。
LO 和 HO 輸出由自適應死區時間方法進行控制，因此兩個輸出（HO 和 LO）絕不會同時啟用，從而防止出現跨導。當啟用控制器命令 LO 時，自適應死區時間邏輯會先禁用 HO 并等待 HO-SW 電壓降至 2.5V（典型值）以下。然后，LO 會在短暫延遲（HO 下降至 LO 上升延遲）后啟用。同樣，HO 導通會延遲，直到 LO 電壓降至 2.5V 以下。然后，HO 會在短暫延遲（LO 下降至 HO 上升延遲）后啟用。這項技術可確保任何尺寸的 N 溝道 MOSFET 組件或并聯 MOSFET 配置具有足夠的死區時間。
添加串聯柵極電阻器時要格外小心，因為這可能導致有效死區時間縮短。每個高側和低側驅動器都具有獨立的驅動器拉電流和灌電流輸出引腳，讓用戶可以調整驅動強度以優化開關損耗，從而實現最大效率并控制壓擺率以減少 EMI 信號。所選的 N 溝道高側 MOSFET 確定了#SNVSA023747 中的相應自舉電容值 CBST，如#SNVSB297118 所示。
其中
- QG 是高側 MOSFET 在適用柵極驅動電壓下的總柵極電荷。
- ΔVBST 是高側 MOSFET 驅動器在導通后的電壓變化。
若要確定 CBST，請選擇合適的 ΔVBST，使可用的柵極驅動電壓不會受到顯著影響。ΔVBST 的可接受范圍為 100mV 至 300mV。自舉電容器必須為低 ESR 陶瓷電容器，典型值為 0.1μF。請使用具有邏輯電平柵極閾值電壓的高側和低側 MOSFET。