本設(shè)計使用串聯(lián)電阻器來檢測輸出電流紋波并設(shè)置電流紋波。以下過程詳細說明了如何選擇電流檢測電阻。

1. 基于最大峰值電流能力至少比滿負載時電感器峰值電流高 25% 來計算電流檢測電阻，以便在啟動和負載開啟瞬態(tài)期間提供足夠的裕量。使用方程式 32 計算電流檢測電阻。
   方程式 32. ${\mathrm{R}}_{\mathrm{S}}=\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}\mathrm{S}-\mathrm{T}\mathrm{H}}}{1.25\times {\mathrm{I}}_{\mathrm{L}\mathrm{O}\left(\mathrm{P}\mathrm{K}\right)}}=\frac{60\mathrm{m}\mathrm{V}}{1.25\times 11.8\mathrm{A}}=4.1\mathrm{m}\mathrm{?}$
2. 本示例中，選擇 3mΩ 以實現(xiàn)更高的電流限制。具有大寬高比終端設(shè)計的 0508 尺寸元件提供 1W 額定功率、低寄生串聯(lián)電感以及緊湊的 PCB 布局。仔細遵循節(jié) 7.4.1中的布局指南，確保噪聲和直流誤差不會破壞在 ISNS+ 和 VOUT 引腳之間測得的差分電流檢測信號。
3. 將分流電阻器放置在靠近電感器的位置。
4. 使用開爾文感測連接并以差分方式將感測線路從分流電阻器布放到 LM25139。
5. CS 到輸出傳播延遲（與電流限制比較器、內(nèi)部邏輯和功率 MOSFET 柵極驅(qū)動器相關(guān)）會導(dǎo)致峰值電流升高至大于計算得出的限流閾值。對于 t_DELAY-ISNS 為 70ns 的總傳播延遲，請使用方程式 33 來計算輸出短接時最差情況下的電感器峰值電流。
   方程式 33. ${\mathrm{I}}_{\mathrm{L}\mathrm{O}-\mathrm{P}\mathrm{K}\left(\mathrm{S}\mathrm{C}\right)}=\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}\mathrm{S}-\mathrm{T}\mathrm{H}}}{{\mathrm{R}}_{\mathrm{S}}}+\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}\left(\mathrm{m}\mathrm{a}\mathrm{x}\right)}\times {\mathrm{t}}_{\mathrm{D}\mathrm{E}\mathrm{L}\mathrm{A}\mathrm{Y}-\mathrm{I}\mathrm{S}\mathrm{N}\mathrm{S}}}{{\mathrm{L}}_{\mathrm{O}}}=\frac{60\mathrm{m}\mathrm{V}}{3\mathrm{m}\mathrm{?}}+\frac{36\mathrm{V}\times 70\mathrm{n}\mathrm{s}}{2.2\mathrm{\mu }\mathrm{H}}=21\mathrm{A}$
6. 根據(jù)此結(jié)果，選擇在整個工作溫度范圍內(nèi)飽和電流大于 21A 的電感器。

或者，可使用輸出電感器的 DCR 來檢測電流。按以下步驟實現(xiàn)精確的 DCR 檢測：

1. 通過利用方程式 34，通過將電感器時間常數(shù)與感測時間常數(shù)相匹配來計算檢測電阻器。
   方程式 34. ${\mathrm{R}}_{\mathrm{C}\mathrm{S}}=\frac{{\mathrm{L}}_{\mathrm{O}}}{{\mathrm{C}}_{\mathrm{C}\mathrm{S}}\times {\mathrm{R}}_{\mathrm{D}\mathrm{C}\mathrm{R}}}=\frac{2.2\mathrm{\mu }\mathrm{H}}{0.1\mathrm{\mu }\mathrm{F}\times 4.3\mathrm{m}\mathrm{?}}=5.1\mathrm{k}\mathrm{?}$
2. 在給定電感器 DCR 的情況下，使用 方程式 35 計算電流限制。
   方程式 35. ${\mathrm{I}}_{\mathrm{C}\mathrm{L}}=\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}\mathrm{S}-\mathrm{T}\mathrm{H}}}{{\mathrm{R}}_{\mathrm{D}\mathrm{C}\mathrm{R}}}=\frac{60\mathrm{m}\mathrm{V}}{4.3\mathrm{m}\mathrm{?}}=13.9\mathrm{A}$

   其中

   • V_CS-TH是 60mV 電流限制閾值。
3. 將檢測電阻器和電容器靠近電感器放置。
4. 使用開爾文感測連接并以差分方式將感測線路從感測網(wǎng)絡(luò)布放到 LM25139。
5. CS 到輸出傳播延遲（與電流限制比較器、內(nèi)部邏輯和功率 MOSFET 柵極驅(qū)動器相關(guān)）會導(dǎo)致峰值電流升高至大于計算得出的限流閾值。對于 t_DELAY-ISNS 為 70ns 的總傳播延遲，請使用方程式 36 來計算輸出短接時最差情況下的電感器峰值電流。
   方程式 36. ${\mathrm{I}}_{\mathrm{L}\mathrm{O}-\mathrm{P}\mathrm{K}\left(\mathrm{S}\mathrm{C}\right)}=\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}\mathrm{S}-\mathrm{T}\mathrm{H}}}{{\mathrm{R}}_{\mathrm{D}\mathrm{C}\mathrm{R}}}+\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}\left(\mathrm{m}\mathrm{a}\mathrm{x}\right)}\times {\mathrm{t}}_{\mathrm{D}\mathrm{E}\mathrm{L}\mathrm{A}\mathrm{Y}-\mathrm{I}\mathrm{S}\mathrm{N}\mathrm{S}}}{{\mathrm{L}}_{\mathrm{O}}}=\frac{60\mathrm{m}\mathrm{V}}{4.3\mathrm{m}\mathrm{?}}+\frac{36\mathrm{V}\times 70\mathrm{n}\mathrm{s}}{2.2\mathrm{\mu }\mathrm{H}}=15.1\mathrm{A}$
6. 根據(jù)此結(jié)果，選擇在全工作溫度范圍內(nèi)飽和電流為 16A 或更大的電感器。