ZHCST02G September 2023 – September 2025 ISOM8110 , ISOM8111 , ISOM8112 , ISOM8113 , ISOM8115 , ISOM8116 , ISOM8117 , ISOM8118
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細說明
- 9 應用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
9.1.1.3.1 絕緣壽命
絕緣壽命預測數(shù)據(jù)是使用業(yè)界通用的時間依賴性電介質擊穿 (TDDB) 測試方法收集的。在該測試中，隔離柵兩側的所有引腳都連在一起，構成了一個雙端子器件并在兩側之間施加高電壓；對于 TDDB 測試設置，請參閱圖 9-7。絕緣擊穿數(shù)據(jù)是在開關頻率為 60Hz 以及各種高電壓條件下在整個溫度范圍內收集的。對于增強型絕緣，VDE 標準要求使用故障率小于 1ppm 的 TDDB 預測線。盡管額定工作隔離電壓條件下的預期最短絕緣壽命為 20 年，但是 VDE 增強認證要求工作電壓具有額外 20% 的安全裕度，壽命具有額外 50% 的安全裕度，也就是說在工作電壓高于額定值 20% 的條件下，所需的最短絕緣壽命為 30 年。
圖 9-8 展示了隔離柵在其整個壽命期間承受高壓應力的固有能力。根據(jù) TDDB 數(shù)據(jù)，固有絕緣能力為 500VRMS，壽命為 44 年。封裝尺寸、污染等級和材料組等其他因素可能會限制元件的工作電壓。
圖 9-7 絕緣壽命測量的測試設置
圖 9-8 絕緣壽命預測數(shù)據(jù)