產(chǎn)品詳情

Rating Catalog Product type Analog transistor output Input type DC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750, 5000 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 150 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 230 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 50, 50 Forward current (IF) (min) (μA) 500, 500 Data rate (max) (Mbps) 0.1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Turnon time (enable) (μs) 0.56, 0.56 Turnoff time (disable) (μs) 3.7, 3.7 Creepage (min) (mm) 5, 8 Clearance (min) (mm) 5, 8
Rating Catalog Product type Analog transistor output Input type DC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750, 5000 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 150 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 230 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 50, 50 Forward current (IF) (min) (μA) 500, 500 Data rate (max) (Mbps) 0.1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Turnon time (enable) (μs) 0.56, 0.56 Turnoff time (disable) (μs) 3.7, 3.7 Creepage (min) (mm) 5, 8 Clearance (min) (mm) 5, 8
SOIC (DFG) 4 24.57 mm2 3.51 x 7 SOIC (DFH) 4 18.9 mm2 2.7 x 7 SOIC (DFS) 4 37.08 mm2 3.6 x 10.3
  • 業(yè)界通用光晶體管光耦合器的封裝兼容、引腳對引腳升級版
  • 單通道 LED 仿真器輸入
  • IF = 5mA、VCE = 5V 時的電流傳輸比 (CTR)：
    • ISOM8110、ISOM8115：100% 至 155%
    • ISOM8111、ISOM8116：150% 至 230%
    • ISOM8112、ISOM8117：255% 至 380%
    • ISOM8113、ISOM8118：375% 至 560%
  • 高集電極-發(fā)射極電壓：VCE（最大值）= 80V
  • 穩(wěn)健 SiO2 isolation barrier
    • 隔離等級：高達 5000VRMS
    • 工作電壓：高達 750VRMS、1061VPK
    • 浪涌能力：高達 10kVPK
  • 溫度范圍：-55°C 至 125°C
  • 響應時間：VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 時為 3μs（典型值）
  • （計劃）
    • 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準進行的認證
    • UL 1577 認證，5000VRMS
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1 認證
    • CQC GB 4943.1 認證
  • 業(yè)界通用光晶體管光耦合器的封裝兼容、引腳對引腳升級版
  • 單通道 LED 仿真器輸入
  • IF = 5mA、VCE = 5V 時的電流傳輸比 (CTR)：
    • ISOM8110、ISOM8115：100% 至 155%
    • ISOM8111、ISOM8116：150% 至 230%
    • ISOM8112、ISOM8117：255% 至 380%
    • ISOM8113、ISOM8118：375% 至 560%
  • 高集電極-發(fā)射極電壓：VCE（最大值）= 80V
  • 穩(wěn)健 SiO2 isolation barrier
    • 隔離等級：高達 5000VRMS
    • 工作電壓：高達 750VRMS、1061VPK
    • 浪涌能力：高達 10kVPK
  • 溫度范圍：-55°C 至 125°C
  • 響應時間：VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 時為 3μs（典型值）
  • （計劃）
    • 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準進行的認證
    • UL 1577 認證，5000VRMS
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1 認證
    • CQC GB 4943.1 認證

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器輸入和晶體管輸出的單通道光耦仿真器，也是許多傳統(tǒng)光耦合器的封裝兼容、引腳對引腳升級版器件，無需重新設計 PCB 即可增強現(xiàn)有系統(tǒng)。

與光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有顯著的可靠性和性能優(yōu)勢，包括高帶寬、低關斷延遲、低功耗、更寬的溫度范圍、平坦的 CTR 和嚴格的過程控制，從而實現(xiàn)較小的器件間偏移。由于沒有要補償?shù)睦匣驕囟茸兓虼朔抡?LED 輸入級的功耗比光耦合器低。

ISOM811x 器件采用引腳間距為 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封裝，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔離額定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和雙向直流 (ISOM811[5-8]) 輸入選項。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于電源反饋設計、電機驅(qū)動、工業(yè)控制器中的 I/O 模塊、工廠自動化應用等。

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器輸入和晶體管輸出的單通道光耦仿真器，也是許多傳統(tǒng)光耦合器的封裝兼容、引腳對引腳升級版器件，無需重新設計 PCB 即可增強現(xiàn)有系統(tǒng)。

與光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有顯著的可靠性和性能優(yōu)勢，包括高帶寬、低關斷延遲、低功耗、更寬的溫度范圍、平坦的 CTR 和嚴格的過程控制，從而實現(xiàn)較小的器件間偏移。由于沒有要補償?shù)睦匣驕囟茸兓虼朔抡?LED 輸入級的功耗比光耦合器低。

ISOM811x 器件采用引腳間距為 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封裝，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔離額定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和雙向直流 (ISOM811[5-8]) 輸入選項。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于電源反饋設計、電機驅(qū)動、工業(yè)控制器中的 I/O 模塊、工廠自動化應用等。
下載 觀看帶字幕的視頻 視頻

您可能感興趣的相似產(chǎn)品

功能與比較器件相同，且具有相同引腳
ISOM8110 正在供貨 具有 100% 至 155% CTR 的直流輸入、晶體管輸出、單通道光耦仿真器 Different CTR range (100% - 155%)
ISOM8112 正在供貨 具有 255% 至 380% CTR 的直流輸入、晶體管輸出、單通道光耦仿真器 Different CTR range (255% - 380%)
ISOM8113 正在供貨 具有 375% 至 560% CTR 的直流輸入、晶體管輸出、單通道光耦仿真器 Different CTR range (375% - 560%)

技術文檔

star =有關此產(chǎn)品的 TI 精選熱門文檔
未找到結果。請清除搜索并重試。
查看全部 9
類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 ISOM811x 具有模擬晶體管輸出的增強型單通道光耦仿真器 數(shù)據(jù)表 (Rev. G) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 4日
證書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025年 9月 8日
產(chǎn)品概述 使用光耦仿真器升級 photoMOS、SSR 和推挽、圖騰柱或晶體 管輸出光耦合器 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 8月 26日
證書 CQC Certificate for ISOMxxxDFx 2025年 8月 18日
證書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025年 8月 15日
產(chǎn)品概述 使用光耦仿真器實現(xiàn)隔離式次級側過壓保護 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 4月 24日
產(chǎn)品概述 隔離電源中的反饋信號 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 4月 24日
應用簡報 隔離認證標準揭秘：光耦合器與光耦仿真器 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 10月 20日
應用手冊 所選封裝材料的熱學和電學性質(zhì) 2008年 10月 16日

設計和開發(fā)

如需其他信息或資源，請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看（如有）。

評估板

ISOM-EVM — 通用光耦仿真器評估模塊

ISOM-EVM 支持評估采用 5 引腳 DFF、4 引腳 DFG、4 引腳 DFH 和 4 引腳 DFS SOIC 封裝的 TI 光耦仿真器。通過更改 EVM 配置和元件值，可以重新配置該評估模塊 (EVM)，以對不同的光耦仿真器、不同的輸入信號或其他應用進行評估。該 EVM 沒有在電路板上安裝光耦仿真器 IC，允許用戶安裝自己選擇的兼容 IC。用戶可以將電路板分為三個單獨的單元來單獨測試印刷電路板。
用戶指南: PDF | HTML
英語版: PDF | HTML
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

ISOM8110 PSpice Reference Design Model

SLLM501.ZIP (1 KB) - PSpice Model
下載
參考設計

TIDA-010963 — 基于 MSPM0 的數(shù)字可尋址照明接口 103 參考設計

此參考設計使用 MSPM0 微控制器實現(xiàn)數(shù)字可尋址照明接口 (DALI) 103，滿足 IEC 62386-103 的合規(guī)硬件和軟件要求。該設計具有可定制的 DALI 收發(fā)器、電源、隔離和固件，能夠?qū)崿F(xiàn)高級照明控制的無縫通信。
設計指南: PDF
參考設計

PMP23470 — 適用于 48V 系統(tǒng)的 750kHz 反激式轉(zhuǎn)換器參考設計

此參考設計是一款隔離式高頻 (750kHz) 反激式轉(zhuǎn)換器，具有 48V 輸入和 24V/0.7A 輸出。LM51561 負責控制反激式轉(zhuǎn)換器，而 ISOM8110 光耦仿真器則用于反饋隔離。
測試報告: PDF
參考設計

TIDA-010271 — 面向儲能系統(tǒng)的可堆疊電池管理單元參考設計

該參考設計是一種全面的電芯溫度檢測和高電芯電壓精度鋰離子 (Li-ion)、磷酸鐵鋰 (LiFePO4) 電池包（32 芯）。該設計可監(jiān)控每個電芯的電壓和電芯溫度，并保護電池包以確保安全使用。該設計使用板載和非板載菊花鏈通信接口，以實現(xiàn)具有成本效益的堆疊式總線連接。得益于這些特性，該參考設計適用于高容量電池包應用。
設計指南: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DFG) 4 Ultra Librarian
SOIC (DFH) 4 Ultra Librarian
SOIC (DFS) 4 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關的參數(shù)、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

視頻