ZHCSW61E April 2024 – September 2025 ISOM8110-Q1 , ISOM8111-Q1 , ISOM8112-Q1 , ISOM8113-Q1 , ISOM8115-Q1 , ISOM8116-Q1 , ISOM8117-Q1 , ISOM8118-Q1
PRODUCTION DATA
封裝選項
機械數據 (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
訂購信息
9.1.1.3.1 絕緣壽命
絕緣壽命預測數據是使用業界通用的時間依賴性電介質擊穿 (TDDB) 測試方法收集的。在該測試中，隔離柵兩側的所有引腳都連在一起，構成了一個雙端子器件并在兩側之間施加高電壓；對于 TDDB 測試設置，請參閱圖 9-7。絕緣擊穿數據是在開關頻率為 60Hz 以及各種高電壓條件下在整個溫度范圍內收集的。對于增強型絕緣，VDE 標準要求使用故障率小于 1ppm 的 TDDB 預測線。盡管額定工作隔離電壓條件下的預期最短絕緣壽命為 20 年，但是 VDE 增強認證要求工作電壓具有額外 20% 的安全裕度，壽命具有額外 50% 的安全裕度，也就是說在工作電壓高于額定值 20% 的條件下，所需的最短絕緣壽命為 30 年。
圖 9-8 展示了隔離柵在其整個壽命期間承受高壓應力的固有能力。根據 TDDB 數據，固有絕緣能力為 500VRMS，壽命為 44 年。封裝尺寸、污染等級和材料組等其他因素可能會限制元件的工作電壓。
圖 9-7 絕緣壽命測量的測試設置
圖 9-8 絕緣壽命預測數據