10 修訂歷史記錄

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLG (March 2017)to RevisionH (March 2024)

• 通篇更新了表格、圖和交叉參考的編號格式Go
• 按照新標準修訂了特性 中的"安全和監管批準"部分Go
• 根據最新標準更改了安全相關認證 表中的信息Go
• 根據 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準更改了 DW 和 DWW 封裝的增強型隔離電容器壽命預測。Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLF (April 2016)to RevisionG (March 2017)

• 更改了功率額定值 表（之前為功率耗散特性）中的器件型號Go
• 將絕緣規格 中的輸入到輸出測試電壓參數更改為視在電荷Go
• 添加了接收文檔更新通知 部分Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLE (March 2016)to RevisionF (April 2016)

• 向特性 部分添加了安全相關認證鏈接Go
• 更改了特性 部分中的隔離柵壽命年數Go
• VDE 認證現已完成Go
• 在所有電氣特性表中，將輸入閾值電壓磁滯參數的最小值從 V_CCO 更改為 V_CCI Go
• 在所有電氣特性表的共模瞬態抗擾度參數的測試條件中添加了 V_CM Go
• 在安全限值 部分中添加了 DW 和 DWW 封裝的壽命預測圖Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (December 2015)to RevisionE (March 2016)

• 更改了特性 中的“安全和監管批準”列表Go
• 向特性 中添加了“符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標準的 TUV 認證”Go
• 將說明 第一段中的文本從“符合 VDE、CSA 和 CQC 認證標準”更改為：“符合 VDE、CSA、CQC 和 TUV 認證標準。”Go
• 將注釋 1 新增到絕緣特性 中Go
• 更改了 IEC 60664-1 等級表 Go
• 向法規信息 部分和法規信息添加了 TUV。刪除了法規信息中的注釋 1Go
• 更改了器件 I/O 原理圖 Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (July 2015)to RevisionD (December 2015)

• 向特性 中添加了已完成 DW 封裝認證；已規劃 DWW 認證Go
• 向說明 中添加了文本：和超寬體 (DWW) 封裝Go
• 添加了封裝：在器件信息表中添加了超寬 SOIC、DWW (16)Go
• 在封裝絕緣和安全相關規格 中添加了 16-DWW 封裝Go
• 在封裝絕緣和安全相關規格 中添加了 DWW 封裝信息Go
• 向法規信息 添加了 DWW 封裝信息Go
• 將電氣特性 - 5V 電源、5V 表中 CMTI 的最小值從70 更改為100kV/μs，刪除了 100kV/μs 的典型值Go
• 向電源電流特性 - 5V 電源 中添加了電源電流 - ISO7842DW 和 ISO7842FDW 部分Go
• 向電源電流特性 - 5V 電源 中添加了電源電流 - ISO7842DWW 和 ISO7842FDWW 部分Go
• 將電氣特性 - 3.3V 電源、5V 表中 CMTI 的最小值從70 更改為100kV/μs，刪除了 100kV/μs 的典型值Go
• 向電源電流特性 - 3.3V 電源 中添加了電源電流 - ISO7842DW 和 ISO7842FDW 部分Go
• 向電源電流特性 - 3.3V 電源 中添加了電源電流 - ISO7842DWW 和 ISO7842FDWW 部分Go
• 將電氣特性 - 2.5V 電源、5V 表中 CMTI 的最小值從70 更改為100kV/μs，刪除了 100kV/μs 的典型值Go
• 向電源電流特性 - 2.5V 電源 中添加了電源電流 - ISO7842DW 和 ISO7842FDW 部分Go
• 向電源電流特性 - 2.5V 電源 中添加了電源電流 - ISO7842DWW 和 ISO7842FDWW 部分Go
• 向應用信息 部分添加了文本“隔離電壓符合 UL 1577 標準。”Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (April 2015)to RevisionC (July 2015)

• 向數據表中添加了 ISO7482F 器件Go
• 更改了說明，以包含：“ISO7842 器件默認輸出為高電平，ISO7842F 器件默認輸出為低電平。”Go
• 更改了根據 VDE 標準限制電流的熱降額曲線，添加了根據 VDE 標準限制功率的熱降額曲線 Go
• 從 5.5V 的 t_PLH 和 t_PHL 更改為 5.0V 的 t_PLH 和 t_PHL Go
• 更改了默認輸出延時時間測試電路和電壓波形 Go
• 添加了器件 I/O 原理圖 部分Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (November 2014)to RevisionB (April 2015)

• 將文檔標題從“四通道數字隔離器”更改為“四通道 2/2 數字隔離器”Go
• 向特性 中添加了 2.25V 至 5.5V 電平轉換Go
• 將特性 中的“寬體 SOIC-16 封裝”更改為“寬體和超寬體 SOIC-16 封裝選項”Go
• 更改了特性 中的“安全和監管批準”列表Go
• VDE 認證現已完成Go
• 更改了“簡化版原理圖”并添加了注釋 1 和注釋 2Go
• 添加了功率耗散特性 表Go
• 更改了封裝絕緣和安全相關規格的 Go
• 將絕緣特性 標題從DIN V VDE 0884-10 (VDE V 0884-10) 和 UL 1577 絕緣特性 更改為絕緣特性 Go
• 更改了絕緣特性 Go
• 更改了封裝絕緣和安全相關規格 中的表 CTI 的測試條件Go
• 將 CTI 的最小值從 > 600V 更改為600VGo
• 更改了法規信息 中的表Go
• 更改了開關特性測試電路和電壓波形 Go
• 更改了啟用/禁用傳播延時時間測試電路和波形 Go
• 將V_CC1 更改為V_CCI，位置在默認輸出延時時間測試電路和電壓波形 Go
• 更改了共模瞬態抗擾度測試電路 Go
• 刪除了功能表 第 1 列和第 2 列中的輸入側和輸出側Go
• 更改了應用信息 部分Go
• 更改了應用信息 部分Go
• 向詳細設計過程 部分添加了文本和典型電路連接圖Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (October 2014)to RevisionA (November 2014)

• 將“特性”中的“所有機構批準待定”更改為“所有機構批準已規劃”Go
• 將“說明”部分的表述“該器件已通過 VDE 和 CSA 認證，滿足增強型隔離要求。”更改為：“該器件正在接受 VDE 和 CSA 的增強型隔離認證審核。”Go
• 將 R_IO 最小值從10⁹ 更改為10¹¹，位置在封裝絕緣和安全相關規格 表中Go
• 更改了法規信息 表中信息的第一行Go