10 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLF (January 2024)to RevisionG (October 2024)
- 更新了整個文檔中的表格、圖和交叉參考的編號格式Go
- 更新了絕緣穿透距離,同時保持其他絕緣規格Go
- 更新了整個電氣特性部分中 ENx 引腳的輸入漏電流Go
- 更新了 TDDB 圖和預計壽命Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLE (July 2023)to RevisionF (January 2024)
- 更新了整個文檔中的表格、圖和交叉參考的編號格式Go
- 更新了熱特性、安全限值和熱降額曲線以提供更準確的系統級熱計算Go
- 更新了電氣和開關特性以匹配器件性能Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (October 2020)to RevisionE (July 2023)
- 將整個文檔中的標準名稱從“DIN VDE V 0884-11:2017-01”更改為“DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)”Go
- 通篇刪除了所有標準名稱中的標準版本和年份參考Go
- 根據 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 添加了最大脈沖電壓 (VIMP) 規格Go
- 根據 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 更改了最大浪涌隔離電壓 (VIOSM) 規格的測試條件和值Go
- 闡明了視在電荷 (qPD) 的方法 b 測試條件Go
- 通篇刪除了對標準 IEC/EN/CSA 60950-1 的引用Go
- 切換了電源欠壓閾值與自然通風溫度間的關系 圖例中 VCC1 下降和 VCC2 上升的標簽Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (February 2020)to RevisionD (October 2020)
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (June 2018)to RevisionC (February 2020)
- 通篇進行了編輯性和修飾性更改Go
- 將“隔離柵壽命:超過 40 年”更改為“在 1500VRMS 工作電壓下預計壽命超過 100 年”(位于節 1)Go
- 在節 1中添加了“隔離等級高達 5700VRMS”Go
- 在節 1中添加了“浪涌能力高達 12.8kV”Go
- 在節 1中添加了“在整個隔離柵具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電保護”Go
- 通篇將 VDE 標準名稱從“DIN V VDE V 0884-11:2017-01”更改為“DIN VDE V 0884-11:2017-01”Go
- 刪除了節 1中的“除 DBQ-16 封裝器件的 CQC 認證外,所有認證均已完成”Go
- 更新了節 2部分的應用列表Go
- 更新了圖 3-1,以便顯示每個通道的兩個串聯隔離電容器,而不是單個隔離電容器Go
- 添加了“接觸放電符合 IEC 61000-4-2 標準”的 ±8000V 規格 Go
- 為“數據速率”規格添加了以下表格注釋:“盡管可以實現更高的數據速率,但最大指定數據速率為 100Mbps”Go
- 將 ISO7741-Q1 PD1 或“最大功耗(側 1)”從 50mW 更改為 75mW,并將 PD2 或“最大功耗(側 2)”從 150mW 更改為 125mW Go
- 將 VIORM 的 DW-16 封裝值從 1414VPK 更改為 2121VPK,并將 VIOWM 從 1000VRMS 和 1414VDC 更改為 1500VRMS 和 2121VDC
Go
- 修改了 VIOWM 和 VIOSM 的測試條件Go
- 將表標題更新為“安全相關認證”并更新了認證信息Go
- 更正了節 7.4.1 中“輸入 (ISO774xF)”原理圖的接地符號Go
- 更新了圖 8-1,將 CAN 收發器從將 SN65HVD231Q 更改為TCAN1042-Q1 并將變壓器驅動器從SN6501-Q1 更改為SN6505x-Q1Go
- 在節 8.3部分中添加了 SN6505x-Q1 相關內容Go
- 在節 9.1部分中添加了如何通過隔離改善工業系統的 ESD、EFT 和浪涌抗擾性 應用報告Go
- 在節 9.1部分中添加了 SN6505x-Q1 數據表相關內容Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (May 2018)to RevisionB (June 2018)
- 將 DBQ 封裝的隔離等級從 2500VRMS 更改為 3000VRMS
Go
- 將 HBM 和 CDM 值從特性 部分移至 ESD 等級 表Go
- 將 DBQ 封裝的 VIOTM 從 3600VPK 更改為 4242VPK
Go
- 向最大瞬態隔離電壓參數的條件添加了 VTEST
Go
- 更改了表觀電荷的方法 b1 Vini 條件Go
- 將所有“計劃進行認證”更改為“已認證”,并將所有“計劃的認證”更改為正確的認證編號Go
- 在所有“電氣特性”表中將 CMTI 典型值從 75kV/μs 更改為 100kV/μsGo
- 在所有“開關特性”表中,將 tDO 典型值從 6μs 更改為 0.1μs,并將最大值從 9μs 更改為 0.3μsGo
- 在圖 5-14中交換了 2.5V 時 VCC 與 3.3V 時 VCC 所對應的線條顏色Go
- 切換了電源欠壓閾值與自然通風溫度間的關系 圖例中 VCC1 下降和 VCC2 上升的標簽Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (November 2016)to RevisionA (May 2018)
- 更新了“安全相關認證”表Go
- 在所有“電氣特性”表中將 CMTI 最小值從 40 更改為 85Go