ZHCSFC4E December 2015 – July 2025 HD3SS3220 , HD3SS3220L
PRODUCTION DATA
對于這個設計示例，請使用表 7-2中顯示的參數。
| 參數 | 示例 | 注釋 |
|---|---|---|
| VDD5 | 5.25V | VDD5 用于為 CC 引腳提供 VCONN 電源。該電源的值應 ≥ 5V，以使 VCONN ≥ 4.75V。 |
| System_VBUS | 5.25V | VDD5 和 System_VBUS 可以短接在一起；但是需要仔細考慮以使 Type-C 端口保持所需的 VBUS 和 VCONN。 |
| I2C I/O 電源 | 3.3V | 1.8V 也是一個選項。 使用 3.3V 電源時，客戶必須確保 VDD5 至少為 3V。否則，I2C 可能會對器件反向供電 |
| VCC33 | 3.3V | 允許 3V-3.6V 范圍。 |
| 用于 SS 信號的交流耦合電容器 | 100nF | 允許 75-200nF 范圍。 僅適用于 TX 對，RX 對將由主機接收器偏置。請注意，HD3SS3220 需要 0-2V 的共模偏置電壓。如果主機接收器的偏置電壓超出此范圍，則需要適當的額外交流耦合電容器和 HD3SS3220 RX 對的偏置電壓。 |
| 上拉電阻器：DIR、ID、INT_N、VCONN_FAULT_N | 200K | 可以使用較小的值，但在計算器件功率預算時需要考慮漏電流。 |
| 上拉電阻器：I2C | 4.7K | |
| 上拉電阻器：CURRENT_MODE | 10K | 此處的示例針對 3A。如果需要 1.5A 或 900mA，則需要不同的值。 |
| 去耦電容器：VCONN 大容量 | 100μF | |
| 去耦電容器：VBUS 大容量 | 150μF |