ZHCSXD4 November 2024 ESD701-Q1
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向關(guān)斷電壓 | IIO < 10nA | -24 | 24 | V | |
| ILEAK | VRWM 下的漏電流 | VIO = ±24V，I/O 至 GND | 2 | 10 | nA | |
| VBR | 擊穿電壓，I/O 至 GND (1) | IIO = ±10mA | 25.5 | 35.5 | V | |
| VHOLD | 保持電壓 (2) | TLP，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 31 | |||
| VCLAMP | 浪涌鉗位電壓，tp = 8/20μs (3) | IPP = 3A，I/O 至 GND | 37 | V | ||
| VCLAMP | 浪涌鉗位電壓，tp = 8/20μs (3) | IPP = 3A，GND 至 I/O | 37 | V | ||
| VCLAMP | TLP 鉗位電壓，tp = 100ns(4) | IPP = 16A (100ns TLP)，I/O 至 GND | 41 | V | ||
| VCLAMP | TLP 鉗位電壓，tp = 100ns(4) | IPP = 16A (100ns TLP)，GND 至 I/O | 41 | V | ||
| RDYN | 動態(tài)電阻 (5) | I/O 至 GND | 0.84 | Ω | ||
| GND 至 I/O | 0.84 | |||||
| CLINE | 輸入電容，IO 至 GND | VIO = 0V，f = 1MHz | 0.3 | 0.5 | pF | |