ZHCSYY6 September 2025 DS160PR410-Q1
PRODUCTION DATA
6.5.3 SMBus/I2C 控制器模式配置（EEPROM 自加載）
DS160PR410-Q1 也可通過從 EEPROM 讀取數據進行配置。要進入此模式，必須將 MODE 引腳設置為 L1。EEPROM 加載操作僅在器件首次上電后發生一次。如果 DS160PR410-Q1 配置為 SMBus 控制器模式，它將保持 SMBus IDLE 狀態，直到 READ_ENn 引腳置為低電平。在 READ_ENn 引腳驅動為低電平后，DS160PR410-Q1 成為 SMBus 控制器，并嘗試通過讀取存儲在外部 EEPROM（SMBus 8 位地址 0xA0）中的器件設置進行自配置。在 DS160PR410-Q1 成功從 EEPROM 讀取數據的操作后，它會將 DONEn 引腳驅動為低電平。在 EEPROM 讀取之前、讀取期間或讀取之后，SMBus/I2C 目標運行在該模式下可用。請注意，在 EEPROM 讀取期間，如果外部 SMBus/I2C 控制器希望訪問 DS160PR410-Q1 寄存器，則必須支持仲裁。
當設計系統使用外部 EEPROM 時，用戶需要遵照以下特定指南：
- 建議使用 2kb（256 × 8 位）的 EEPROM 大小。
- 設置 MODE = L1，配置為 SMBus 控制器模式。
- 外部 EEPROM 器件地址字節必須為 0xA0，并且在 3.3V 電源下能夠以 400kHz 的頻率運行
- 在 SMBus/I2C 模式下，SCL 和 SDA 引腳必須通過上拉電阻上拉至 3.3V 電源。電阻器的值取決于總線總電容。4.7kΩ 是 10pF 總線電容的良好初始近似值。
圖 6-2 展示了一個用例，使用四個 DS160PR410-Q1 來實現一個 PCIe x8 或兩個 x4 配置，但用戶可以采用類似的方式級聯任意數量的 DS160PR410-Q1 器件。將第一個器件的 READ_ENn 引腳連接至低電平，以便在加電時自動啟動 EEPROM 讀取。或者，第一個器件的 READ_ENn 引腳也可由微控制器控制以手動啟動 EEPROM 讀取。將最終器件的 DONEn 引腳保持懸空，或將該引腳連接到微控制器輸入端，來監控最終 EEPROM 讀取的完成情況。
圖 6-2 以菊花鏈形式連接四個 DS160PR410-Q1 器件，從而在兩個 x4 或一個 x8 鏈路配置中從單個 EEPROM 讀取