ZHCSMO0B May 2020 – May 2022 DRV8426E
PRODUCTION DATA
VM 引腳應(yīng)通過(guò)低 ESR 陶瓷旁路電容器旁路至 PGND，該電容器的推薦電容為 0.01μF 且額定電壓為 VM。該電容器應(yīng)盡可能靠近 VM 引腳放置，并通過(guò)較寬的走線或接地層與器件 PGND 引腳連接。
必須使用額定電壓為 VM 的大容量電容器將 VM 引腳旁路至接地。該組件可以是電解電容器。
必須在 CPL 和 CPH 引腳之間放置一個(gè)低 ESR 陶瓷電容器。建議使用一個(gè)電容值為 0.022μF、額定電壓為 VM 的電容器。將此組件盡可能靠近引腳放置。
必須在 VM 和 VCP 引腳之間放置一個(gè)低 ESR 陶瓷電容器。建議使用一個(gè)電容值為 0.22μF、額定電壓為 16V 的電容器。將此組件盡可能靠近引腳放置。
使用低 ESR 陶瓷電容器將 DVDD 引腳旁路至接地。建議使用一個(gè)電容值為0.47μF、額定電壓為6.3V的電容器。將此旁路電容器盡可能靠近引腳放置。
散熱焊盤(pán)必須連接到系統(tǒng)接地。