ZHCSMN7B May 2020 – May 2022 DRV8424E , DRV8425E
PRODUCTION DATA
如果內(nèi)核溫度超過熱關(guān)斷限值 (TOTSD)，則會禁用 H 橋中的所有 MOSFET 并將 nFAULT 引腳驅(qū)動為低電平。結(jié)溫降至過熱閾值限值減去遲滯 (TOTSD – THYS_OTSD) 所得的值以下后，器件會在應(yīng)用 nSLEEP 復(fù)位脈沖或功率循環(huán)后恢復(fù)正常運(yùn)行。