ZHCSYD8 June 2025 DRV8363-Q1
ADVANCE INFORMATION
該器件集成了一個(gè)電流源以及 VDRAIN 與 SHx 器件引腳之間及 SHx 器件引腳與每個(gè)通道的器件接地端之間的開關(guān)。可以通過 SPI 寄存器位 PH_DIAG_Hx 和 PH_DIAG_Lx 來單獨(dú)啟用和禁用開關(guān)。如果 PH_DIAG_Hx 為 1b,則 SHx 引腳的拉電流 IPHD_SRC 將被啟用。如果 PH_DIAG_Lx 為 1b,則 SHx 引腳的灌電流 IPHD_SNK 將被啟用。當(dāng)任何 PHDEN_Hx 和 PHDEN_Lx 寄存器位設(shè)置為 1 時(shí),VDS 過流檢測標(biāo)志 VDS_Hx 和 VDS_Lx 會(huì)從故障檢測標(biāo)志更改為 VDS 比較器的狀態(tài)標(biāo)志。集成電流源和 VDS 狀態(tài)標(biāo)志的組合可用于相位診斷(例如檢測電機(jī)負(fù)載的開路故障),而無需激活外部 MOSFET。
DRV8363-Q1 還具有自動(dòng)開路負(fù)載和 MOSFET 短路檢測序列。如要運(yùn)行自動(dòng)開路負(fù)載檢測,請(qǐng)將 OPEN_DET_EN 位設(shè)置為 1b。如要運(yùn)行自動(dòng) MOSFET 短路檢測序列,請(qǐng)將 SHORT_DET_EN 位設(shè)置為 1b。請(qǐng)注意,一次只能運(yùn)行一個(gè)自動(dòng)序列。序列結(jié)果報(bào)告在 IC_STAT3 寄存器中。