ZHCSY74 May 2023 DRV8334-Q1
PRODMIX
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規格
-
6 詳細說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 三相 BLDC 柵極驅動器
- 6.3.2 低側電流檢測放大器
- 6.3.3 柵極驅動器關斷
- 6.3.4
柵極驅動器保護電路
- 6.3.4.1 PVDD 電源欠壓警告 (PVDD_UVW)
- 6.3.4.2 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 6.3.4.3 PVDD 電源過壓故障 (PVDD_OV)
- 6.3.4.4 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 6.3.4.5 GVDD 過壓故障 (GVDD_OV)
- 6.3.4.6 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 6.3.4.7 BST 過壓故障 (BST_OV)
- 6.3.4.8 VCP 欠壓故障 (CP_OV)
- 6.3.4.9 VCP 過壓故障 (CP_OV)
- 6.3.4.10 VDRAIN 欠壓故障 (VDRAIN_UV)
- 6.3.4.11 VDRAIN 過壓故障 (VDRAIN_OV)
- 6.3.4.12 MOSFET VGS 監測保護
- 6.3.4.13 MOSFET VDS 過流保護 (VDS_OCP)
- 6.3.4.14 VSENSE 過流保護 (SEN_OCP)
- 6.3.4.15 相位比較器
- 6.3.4.16 熱關斷 (OTSD)
- 6.3.4.17 熱警告 (OTW)
- 6.3.4.18 OTP CRC
- 6.3.4.19 SPI 看門狗計時器
- 6.3.4.20 相位診斷
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 編程
- 7 寄存器映射
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
6.3.4.13 MOSFET VDS 過流保護 (VDS_OCP)
該器件具有可調節的 VDS 電壓監視器，可檢測外部功率 MOSFET 上的過流或短路情況。可以通過監測外部 MOSFET RDS(on) 上的 VDS 壓降來檢測 MOSFET 過流事件。高側 VDS 監測器在 VDRAIN 和 SHx 引腳之間進行測量，低側 VDS 監測器在 SHx 和 SLx 引腳之間進行測量。如果外部 MOSFET 兩端的電壓超過 VDS_LVL 閾值的時間大于 tDS_DG 抗尖峰脈沖時間，則會識別到 VDS_OCP 事件。檢測到 VDS 過流事件后，所有柵極驅動器輸出都被驅動為低電平以禁用外部 MOSFET，并且 nFAULT 引腳被驅動為低電平。VDS 電平和抗尖峰脈沖時間是可編程的。
圖 6-19 DRV8334-Q1VDS 監測器
圖 6-20 DRV8334-Q1VDS 檢測時序