ZHCSN21A April 2020 – June 2021
PRODUCTION DATA
應使用一個推薦電容為 0.01 μF 且額定電壓為 VM 的低 ESR 陶瓷旁路電容器將 VM 引腳旁路至 PGND。該電容器應盡可能靠近 VM 引腳放置，并通過粗跡線或接地平面與器件 PGND 引腳連接。
必須使用額定電壓為 VM 的大容量電容器將 VM 引腳旁路至接地。該組件可以是電解電容器。
必須在 CPL 和 CPH 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。建議使用一個電容值為 0.022 μF、額定電壓為 VM 的電容器。將此組件盡可能靠近引腳放置。
必須在 VM 和 VCP 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。建議使用一個電容值為 0.22 μF、額定電壓為 16V 的電容器。將此組件盡可能靠近引腳放置。
OUT1 引腳（HTSSOP 封裝的引腳 4、5、10、11；QFN 封裝的引腳 3、6）必須使用粗 PCB 跡線連接在一起。同樣，OUT2 引腳（HTSSOP 封裝的引腳 6、7、8、9；QFN 封裝的引腳 4、5）必須使用粗 PCB 跡線連接在一起。
使用低 ESR 陶瓷電容器將 DVDD 引腳旁路至接地。建議使用一個電容為 0.47 μF、額定電壓為 6.3V 的電容器。將此旁路電容器盡可能靠近引腳放置。
散熱焊盤必須連接到系統接地。若要驅動超過 5A 的峰值電流，可能需要在器件附近放置一個散熱器。