ZHCSBM7F September 2013 – February 2022 CSD25481F4
PRODUCTION DATA
- 1特性
- 2應(yīng)用
- 3說(shuō)明
- 4Revision History
- 5Specifications
- 6Device and Documentation Support
- 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- YJC|3
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
3 說(shuō)明
該 90mΩ、20V P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化，能夠最大限度地減小在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中占用的空間。這項(xiàng)技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET 的同時(shí)將封裝尺寸減小至少 60%。
圖 3-1 典型器件尺寸
產(chǎn)品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 913 | pC | |
| Qgd | 柵極電荷（柵極到漏極） | 153 | pC | |
| RDS(on) | 漏源 導(dǎo)通電阻 |
VGS = –1.8V | 395 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 145 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 90 | m? | ||
| VGS(th) | 閾值電壓 | -0.95 | V | |
訂購(gòu)信息
| 器件(1) | 數(shù)量 | 介質(zhì) | 封裝 | 出貨 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25481F4 | 3000 | 7 英寸卷帶 | Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 基板柵格陣列 (LGA) |
卷帶包裝 |
| CSD25481F4T | 250 | 7 英寸卷帶 |
(1) 如需了解所有可用封裝，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。
絕對(duì)最大額定值
| TA = 25°C 時(shí)測(cè)得，除非另外注明 | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵源電壓 | -12 | V |
| ID | 持續(xù)漏極電流(1) | -2.5 | A |
| IDM | 脈沖漏極電流(2) | –13.1 | A |
| IG | 持續(xù)柵極鉗位電流 | -35 | mA |
| 脈沖柵極鉗位電流(2) | -350 | ||
| PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人體放電模型 (HBM) | 4 | kV |
| 充電器件模型 (CDM) | 2 | kV | |
| TJ、 Tstg |
工作結(jié)溫和 貯存溫度范圍 |
–55 至 150 | °C |
(1) 典型 RθJA = 90°C/W（在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上安裝 1 平方英寸 (6.45cm2)、2oz、
0.071mm 厚的銅焊盤時(shí)）。
0.071mm 厚的銅焊盤時(shí)）。
(2) 脈沖持續(xù)時(shí)間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
圖 3-2 頂視圖