ZHCSEW4B April 2016 – February 2022 CSD25480F3
PRODUCTION DATA
3 說明
該 -20V、110mΩ P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經過設計和優化，能夠最大限度地減小在許多手持式和移動應用中占用的空間。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時大幅減小封裝尺寸。
典型器件尺寸產品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 0.7 | nC | |
| Qgd | 柵極電荷（柵極到漏極） | 0.10 | nC | |
| RDS(on) | 漏源 導通電阻 |
VGS = –1.8V | 420 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 203 | |||
| VGS = -4.5V | 132 | |||
| VGS = -8.0V | 110 | |||
| VGS(th) | 閾值電壓 | -0.95 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 數量 | 介質 | 封裝 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25480F3 | 3000 | 7 英寸卷帶 | Femto 0.73mm × 0.64mm 基板柵格陣列 (LGA) |
卷帶 包裝 |
| CSD25480F3T | 250 |
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數據表末尾的可訂購產品附錄。
絕對最大額定值
| TA = 25°C（除非另外注明） | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵源電壓 | -12 | V |
| ID | 持續漏極電流(1) | –1.7 | A |
| IDM | 脈沖漏極電流(1)(2) | –10.6 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人體放電模型 (HBM) | 4000 | V |
| 充電器件模型 (CDM) | 2000 | ||
| TJ、 Tstg |
工作結溫、 貯存溫度 |
–55 至 150 | °C |
(1) 安裝在覆銅區域最小的 FR4 電路板上時的典型 RθJA = 255°C/W。
(2) 脈沖持續時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
頂視圖