ZHCSUP3A June 2024 – April 2025 BQ41Z50
PRODUCTION DATA
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VFETON | 相對于 BAT 的 CHG 引腳電壓、相對于 BAT 的 DSG 引腳電壓,5V ≤ VBAT ≤ 28V,VPACK ≤ VDSG | CHG/DSG CL = 10nF,RL = 10MΩ,ILEAK = 100nA | 8.5 | 10 | 12 | V | |
| VFETON_LOBAT | 相對于 BAT 的 CHG 引腳電壓、相對于 BAT 的 DSG 引腳電壓,VSWITCHOVER- (MAX) ≤ VBAT < 5V,VPACK ≤ VDSG | TA = -25°C 至 65°C,CHG/DSG CL = 10nF,RL = 10MΩ,ILEAK = 100nA | 3.95 | 12 | V | ||
| VFETON_LOBAT | 相對于 BAT 的 CHG 引腳電壓、相對于 BAT 的 DSG 引腳電壓,VSWITCHOVER- (MAX) ≤ VBAT < 5V,VPACK ≤ VDSG | CHG/DSG CL = 10nF,RL = 10MΩ,ILEAK = 100nA | 3.3 | 12 | V | ||
| VCHGFETOFF | 相對于 BAT 的 CHG 關斷電壓 | CHG/DSG CL = 10nF,RL = 10MΩ,穩態值 | 0.4 | V | |||
| VDSGFETOFF | 相對于 PACK 的 DSG 關斷電壓 | CHG/DSG CL = 10nF,RL = 10MΩ,穩態值 | 0.7 | V | |||
| tFET_ON | CHG 和 DSG 上升時間 | CHG/DSG CL = 10nF,RL = 10MΩ,RGATE = 5.1kΩ,0V 至 4V 柵源過驅,VBAT = VCC ≥ 3.6V | 90 | 200 | μs | ||
| tFET_OFF | DSG 下降時間 | VBAT = VCC ≥ 3.6V,DSG CL = 10nF,RL = 10MΩ,RGATE = 5.1kΩ,V(FETON) 的 90% 至 15% | 140 | 250 | μs | ||
| VBAT = VCC < 3.6V,DSG CL = 10nF,RL = 10MΩ,RGATE = 5.1kΩ,V(FETON) 的 90% 至 15% | 140 | 400 | |||||
| CHG 下降時間 | VBAT = VCC ≥ 3.6V,CHG CL = 10nF,RL = 10MΩ,RGATE = 5.1kΩ,V(FETON) 的 90% 至 15% | 110 | 160 | ||||
| VBAT = VCC < 3.6V,CHG CL = 10nF,RL = 10MΩ,RGATE = 5.1kΩ,V(FETON) 的 90% 至 15% | 110 | 160 | |||||