ZHCSUP3A June 2024 – April 2025 BQ41Z50
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
-
5 規(guī)格
- 5.1 絕對最大額定值
- 5.2 ESD 等級
- 5.3 建議運(yùn)行條件
- 5.4 熱性能信息
- 5.5 電源電流
- 5.6 電源控制
- 5.7 低壓降穩(wěn)壓器
- 5.8 內(nèi)部振蕩器
- 5.9 電壓基準(zhǔn)
- 5.10 電流喚醒檢測器
- 5.11 VC0、VC1、VC2、VC3、VC4，PACK
- 5.12 電芯均衡支持
- 5.13 SMBD、SMBC
- 5.14 PRES/SHUTDN，DISP
- 5.15 ALERT
- 5.16 LEDCNTLA、LEDCNTLB、LEDCNTLC
- 5.17 庫侖計(jì)
- 5.18 庫侖計(jì)數(shù)字濾波器 (CC1)
- 5.19 電流測量數(shù)字濾波器 (CC2)
- 5.20 模數(shù)轉(zhuǎn)換器
- 5.21 ADC 數(shù)字濾波器
- 5.22 CHG、DSG 高側(cè) NFET 驅(qū)動器
- 5.23 預(yù)充電 (PCHG) FET 驅(qū)動器
- 5.24 FUSE 驅(qū)動器
- 5.25 內(nèi)部溫度傳感器
- 5.26 TS1、TS2、TS3、TS4
- 5.27 閃存存儲器
- 5.28 OT、SCD、OCC、OCD1、OCD2 保護(hù)閾值 (SCOMP)
- 5.29 OT、SCD、OCC、OCD1、OCD2 保護(hù)時(shí)間 (SCOMP)
- 5.30 GPIO1、GPIO2、GPIO3、GPIO4、GPIO5、GPIO6、GPIO7
- 5.31 橢圓曲線加密 (ECC)
- 5.32 SMBus 接口時(shí)序
- 5.33 典型特性
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 電源相關(guān)建議
- 9 布局
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
訂購信息
7.2.2.1.1 保護(hù) FET
為給定應(yīng)用選擇 N 溝道充電和放電 FET。CSD17308Q3 非常適合大多數(shù)便攜式電池應(yīng)用。有關(guān)詳細(xì)信息，請參閱 CSD17308Q3 30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET。TI CSD17308Q3 是一款 47A、30V 器件，在柵極驅(qū)動電壓為 8V 時(shí)具有 8.2mΩ 的 RDS(ON)。
如果使用預(yù)充電 FET，則需要計(jì)算 R2，以將預(yù)充電電流限制為所需的速率。請務(wù)必考慮串聯(lián)電阻的功率損耗。預(yù)充電電流限制為 (VCHARGER – VBAT)/R2，最大功率耗散為 (VCHARGER – VBAT)2/R2。
所有保護(hù) FET 的柵極均由柵極和源極之間的高阻值電阻拉至源極，以確保在柵極驅(qū)動開路時(shí)將其關(guān)斷。
電容器 C1 和 C2 有助于在 ESD 事件期間保護(hù) FET。使用兩個(gè)器件可確保在其中一個(gè)器件短路時(shí)正常運(yùn)行。為了提供良好的 ESD 保護(hù)，電容器引線的覆銅布線電感必須設(shè)計(jì)為盡可能短且寬。確保 C1 和 C2 的額定電壓足以在其中一個(gè)電容器短路時(shí)抑制施加的電壓。
圖 7-2 BQ41Z50 保護(hù) FET