ZHCSUP3A June 2024 – April 2025 BQ41Z50
PRODUCTION DATA
為給定應用選擇 N 溝道充電和放電 FET。CSD17308Q3 非常適合大多數便攜式電池應用。有關詳細信息,請參閱 CSD17308Q3 30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET。TI CSD17308Q3 是一款 47A、30V 器件,在柵極驅動電壓為 8V 時具有 8.2mΩ 的 RDS(ON)。
如果使用預充電 FET,則需要計算 R2,以將預充電電流限制為所需的速率。請務必考慮串聯電阻的功率損耗。預充電電流限制為 (VCHARGER – VBAT)/R2,最大功率耗散為 (VCHARGER – VBAT)2/R2。
所有保護 FET 的柵極均由柵極和源極之間的高阻值電阻拉至源極,以確保在柵極驅動開路時將其關斷。
電容器 C1 和 C2 有助于在 ESD 事件期間保護 FET。使用兩個器件可確保在其中一個器件短路時正常運行。為了提供良好的 ESD 保護,電容器引線的覆銅布線電感必須設計為盡可能短且寬。確保 C1 和 C2 的額定電壓足以在其中一個電容器短路時抑制施加的電壓。