ZHCSIH4C June 2018 – June 2025 BQ40Z80
PRODUCTION DATA
為給定應用選擇 N 溝道充電和放電 FET。對于 7 節串聯電芯應用，充電 FET額定電壓必須高于最大電壓，因此使用 TI CSD18504Q5A。TI CSD18504Q5A 是一款 50A、 40V 器件，在柵極驅動電壓為 10V 時具有 5.3mΩ 的 Rds(on)。放電 FET 可承受更高電壓；使用 TI CSD18540Q5B。TI CSD18540Q5B 是一款 100A、 60V 器件，在柵極驅動電壓為 10V 時具有 1.8mΩ 的 Rds(on)。
如果使用預充電 FET，則需要計算 R2，以將預充電電流限制為所需的速率。請務必考慮串聯電阻的功率損耗。預充電電流限制為 (VCHARGER – VBAT)/R2，最大功率耗散為 (VCHARGER – VBAT)2/R2。
所有保護 FET 的柵極均由柵極和源極之間的高阻值電阻拉至源極，以確保在柵極驅動開路時將 FET 關斷。
電容器 C1 和 C2 有助于在 ESD 事件期間保護 FET。使用兩個器件可實現在其中一個器件短路時正常運行。設計電容器引線的覆銅跡線電感時應盡可能短而寬，以實現良好的 ESD 保護。保證 C1 和 C2 的額定電壓足以在其中一個電容器短路時抑制施加的電壓。