ZHCSW70A May 2024 – October 2024 BQ25856-Q1
PRODUCTION DATA
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為了防止電場和磁場輻射以及高頻諧振問題，采用合適的元件布局來盡可能簡化高頻電流路徑環路非常重要。以下是正確布局的 PCB 布局優先級列表。
| 元件 | 功能 | 影響 | 指南 |
|---|---|---|---|
| 降壓高側 FET、降壓低側 FET、輸入電容器 | 降壓輸入環路 | 高頻噪聲、紋波、效率 | 由于降壓輸入端的脈動電流，該路徑形成高頻開關環路。將元件放置在電路板的同一側。更大限度地減小環路面積以減小寄生電感。更大限度地增加引線寬度以減小寄生電阻。將輸入陶瓷電容器放置在靠近開關 FET 的位置。 |
| 升壓低側 FET、升壓高側 FET、輸出電容器 | 升壓輸出環路 | 高頻噪聲、紋波、效率 | 由于升壓輸出端的脈動電流，該路徑形成高頻開關環路。將元件放置在電路板的同一側。更大限度地減小環路面積以減小寄生電感。更大限度地增加引線寬度以減小寄生電阻。將輸出陶瓷電容器放置在靠近開關 FET 的位置。 |
| 檢測電阻、開關 FET、電感器 | 電流路徑 | 效率 | 通過功率級和檢測電阻器從輸入到輸出的電流路徑具有低阻抗。請留意過孔電阻是否不在同一側。對于 1oz 銅厚度的 10mil 過孔，過孔數量可估算出每個過孔 1A 至 2A。 |
| 開關 FET、電感器 | 功率級 | 熱性能、效率 | 開關 FET 和電感器是功率損耗最高的元件。留出足夠的銅面積來散熱。多個散熱過孔可用于將更多銅層連接在一起并散發更多熱量。 |
| DRV_SUP、BTST1、BTST2 電容器 | 開關 FET 柵極驅動 | 高頻噪聲、寄生振鈴、柵極驅動完整性 | DRV_SUP 電容器用于提供驅動低側 FET 的電源。BTST 電容器用于驅動高側 FET。建議將電容器盡可能靠近 IC 放置。 |
| LODRV1、LODRV2 | 低側柵極驅動 | 高頻噪聲、寄生振鈴、柵極驅動完整性 | LODRV1 和 LODRV2 提供柵極驅動電流以導通低側 FET。LODRV1 和 LODRV2 返回至 PGND。由于電流采用阻抗最小的路徑，因此建議使用靠近低側柵極驅動引線的接地平面。更大限度地減小柵極驅動長度并爭取實現至少 20mil 的柵極驅動引線寬度。 |
| HIDRV1、HIDRV2、SW1（引腳引線）、SW2（引腳引線） | 高側柵極驅動 | 高頻噪聲、寄生振鈴、柵極驅動完整性 | HIDRV1 和 HIDRV2 提供柵極驅動電流以導通高側 FET。HIDRV1 和 HIDRV2 分別返回至 SW1 和 SW2。將 HIDRV1/SW1 和 HIDRV2/SW2 對彼此相鄰布線，以減小柵極驅動寄生電感。更大限度地減小柵極驅動長度并爭取實現至少 20mil 的柵極驅動引線寬度。 |
| 限流電阻器、FSW_SYNC 電阻器 | IC 可編程設置 | 調節精度、開關完整性 | 引腳電壓決定輸入電流限制、輸出電流限制和開關頻率的設置。這些引腳上的接地噪聲可能會導致不準確。更大限度地減小從這些電阻器到 IC 接地引腳的接地回路。 |
| 輸入（ACP、ACN）和輸出（SRP、SRN）電流檢測 | 電流調節 | 調節精度 | 對輸入和輸出電流檢測電阻使用開爾文檢測技術。將電流檢測引線連接到焊盤的中心，并將電流檢測引線作為差分對進行排布，使其遠離開關節點。 |
| 輸入 (ACUV) 和輸出（FB、VO_SNS）電壓檢測 | 電壓檢測和調節 | 調節精度 | ACUV 分壓器設置正向模式下的內部輸入電壓調節 (VACUV_DPM)。FB 分壓器設置正向模式下的電池電壓調節 (VFB_ACC)。將分壓器點的頂部排布至目標調節位置。避免在靠近大功率開關節點的位置布線。 |
| 旁路電容器 | 噪聲濾波器 | 噪聲抗擾度 | 容值最小的電容器要最靠近 IC 放置。 |