6 引腳配置和功能

圖 6-1 BQ25756E RRV 封裝36 引腳 VQFN頂視圖

表 6-1 引腳功能

引腳		I/O	說明
名稱	編號	I/O	說明
SCL	1	I	I²C 接口時鐘 – 通過 10kΩ 電阻器將 SCL 連接到邏輯軌。
SDA	2	IO	I²C 接口數據 – 通過 10kΩ 電阻器將 SDA 連接到邏輯軌。
INT	3	O	開漏中斷輸出 – 通過 10kΩ 電阻器將 INT 引腳連接到邏輯軌。INT 引腳向主機發送一個低電平有效的 256μs 脈沖，以報告充電器器件狀態和故障。
STAT1	4	O	開漏充電狀態 1 輸出 – STAT1 和 STAT2 表示各種充電器操作，請參閱表 8-6。通過 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。當 DIS_STAT_PINS 位設置為 1 時，可以禁用 STAT1、STAT2 引腳功能。禁用后，該引腳可通過 FORCE_STAT1_ON 位用作通用指示器。
STAT2	5	O	開漏充電狀態 2 輸出 – STAT1 和 STAT2 表示各種充電器操作，請參閱表 8-6。通過 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。當 DIS_STAT_PINS 位設置為 1 時，可以禁用 STAT1、STAT2 引腳功能。禁用后，該引腳可通過 FORCE_STAT2_ON 位用作通用指示器。
PG	6	O	開漏低電平有效電源正常狀態指示器 – 通過 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。如果 VAC 處于編程的 ACUV/ACOV 工作窗口之內，則 LOW 表示輸入源良好。當 DIS_PG_PIN 位設置為 1 時，可以禁用 PG 引腳功能。禁用后，該引腳可通過 FORCE_STAT3_ON 位用作通用指示器。
CE	7	IO	低電平有效充電使能引腳 – 當 EN_CHG 位為 1 且 CE 引腳為低電平時，會啟用電池充電。必須將 CE 引腳拉至高電平或低電平，不要保持懸空。當 DIS_CE_PIN 位設置為 1 時，可以禁用 CE 引腳功能。禁用后，該引腳可通過 FORCE_STAT4_ON 位用作通用指示器。
TS	8	I	溫度鑒定電壓輸入 – 連接負溫度系數熱敏電阻。使用從 REGN 到 TS 再到 PGND 的電阻分壓器對溫度窗口進行編程。當 TS 引腳電壓超出范圍時，充電暫停。建議使用 103AT-2 10kΩ 熱敏電阻。
ICHG	9	I	充電電流限制設置 – ICHG 引腳設置最大充電電流，并可用于監測充電電流。連接到 PGND 的編程電阻用于將充電電流限制設置為 I_CHG = K_ICHG/R_ICHG。當器件處于充電電流調節狀態時，ICHG 引腳電壓為 V_{REF_ICHG}。當 ICHG 引腳電壓小于 V_{REF_ICHG} 時，實際充電電流可按下式計算：IBAT = K_ICHG x V_ICHG / ( R_ICHG x V_{REF_ICHG})。實際充電電流限制是 ICHG 引腳或 ICHG_REG 寄存器位設置的限制中的較低者。當 EN_ICHG_PIN 位為 0 時，可以禁用該引腳功能。如果不使用 ICHG 引腳，該引腳應拉至 PGND，不要懸空。
ILIM_HIZ	10	I	輸入電流限制設置和高阻態模式控制引腳 – ILIM_HIZ 引腳設置最大輸入電流限制，可用于監測輸入電流，并可拉至高電平以強制器件進入高阻態模式。連接到 PGND 的編程電阻用于將輸入電流限制設置為 I_LIM = K_ILIM/R_ILIM。當器件處于輸入電流調節狀態時，ILIM_HIZ 引腳上的電壓為 V_{REF_ILIM}。當 ILIM_HIZ 引腳電壓小于 V_{REF_ILIM} 時，實際輸入電流可按下式計算：IAC = K_ILIM x V_ILIM / ( R_ILIM x V_{REF_ILIM})。實際輸入電流限制是 ILIM_HIZ 引腳或 IAC_DPM 寄存器位設置的限制中的較低者。當 EN_ILIM_HIZ_PIN 位為 0 時，可以禁用該引腳功能。如果不使用 ILIM_HIZ 引腳，該引腳應拉至 PGND，不要懸空。
FBG	11	I	電壓反饋分壓器返回 – 連接到電池反饋電阻的底部。充電時，該引腳在內部被驅動至 PGND。當輸入電壓超出 ACUV/ACOV 工作窗口時，該引腳處于高阻抗狀態，從而更大限度減少電池漏電流。
FB	12	I	充電電壓模擬反饋調節 – 將電阻分壓器的輸出從電池端子連接到該節點，以調整輸出電池調節電壓。
SRN	13	I	充電電流檢測電阻，負輸入 – 在 SRN 和 SRP 之間放置一個 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 SRN 引腳和 PGND 之間放置一個可選的 0.1μF 陶瓷電容器，實現共模濾波。
SRP	14	I	充電電流檢測電阻，正輸入 – 在 SRN 和 SRP 之間放置一個 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 SRP 引腳和 PGND 之間放置一個 0.1μF 陶瓷電容器，實現共模濾波。
NC	15	-	未連接 - 將此引腳懸空，不要連接到 PGND
NC	16	-	未連接 - 將此引腳懸空，不要連接到 PGND
PGND	17	-	將該引腳直接連接到 PGND（引腳 22）。
SW2	18	P	升壓側半橋開關節點 – 連接到升壓 HS FET 的源極和升壓 LS FET 的漏極。在 SW1 和 SW2 之間連接電感器。
HIDRV2	19	O	升壓側高側柵極驅動器 – 連接到升壓高側 N 溝道 MOSFET 柵極。
BTST2	20	P	升壓側高側功率 MOSFET 柵極驅動器電源 – 在 BTST2 和 SW2 之間連接一個電容器，為高側 MOSFET 柵極驅動器提供偏置。
LODRV2	21	O	升壓側低側柵極驅動器 – 連接到升壓低側 N 溝道 MOSFET 柵極。
PGND	22	P	電源接地回路 – 低側柵極驅動器的高電流接地連接。
DRV_SUP	23	P	充電器柵極驅動電源輸入 – 該引腳上的電壓用于驅動降壓/升壓轉換器開關 FET 的柵極。在 DRV_SUP 和電源地之間連接一個 4.7μF 陶瓷電容器。通過將 REGN 連接到 DRV_SUP 引腳，REGN LDO 電壓可用作所有開關 FET 的柵極驅動器電源。在高壓應用中，可以通過外部電源直接提供高達 12V 的 DRV_SUP 電壓，以實現更高的開關效率。有關更多詳細信息，請參閱節 8.3.3.2。
REGN	24	P	充電器內部線性穩壓器輸出 – 在 REGN 與電源地之間連接一個 4.7μF 陶瓷電容器。通過將 REGN 連接到 DRV_SUP 引腳，REGN LDO 電壓可用作所有開關 FET 的柵極驅動器電源。在高壓應用中，可以通過外部電源直接提供高達 12V 的 DRV_SUP 電壓，以實現更高的開關效率。有關更多詳細信息，請參閱節 8.3.3.2。
LODRV1	25	O	降壓側低側柵極驅動器 – 連接到降壓低側 N 溝道 MOSFET 柵極。
BTST1	26	P	降壓側高側功率 MOSFET 柵極驅動器電源 – 在 BTST1 和 SW1 之間連接一個電容器，為高側 MOSFET 柵極驅動器提供偏置。
HIDRV1	27	O	降壓側高側柵極驅動器 – 連接到降壓高側 N 溝道 MOSFET 柵極。
SW1	28	P	降壓側半橋開關節點 - 連接到降壓 HS FET 的源極和降壓 LS FET 的漏極。在 SW1 和 SW2 之間連接電感器。
ACN	29	I	適配器電流檢測電阻，負輸入 – 在 ACN 和 ACP 之間放置一個 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 ACN 引腳和 PGND 之間放置一個可選的 0.1μF 陶瓷電容器，實現共模濾波。
ACP	30	I	適配器電流檢測電阻，正輸入 – 在 ACN 和 ACP 之間放置一個 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 ACP 引腳和 PGND 之間放置一個 0.1μF 陶瓷電容器，實現共模濾波
NC	31	-	未連接 - 將此引腳懸空，不要連接到 PGND
VAC	32	P	輸入電壓檢測和電源 – 在引腳和 PGND 之間連接一個 1μF 電容器。引腳 33 是??為 IC 供電的輸入偏置，ACOV/ACUV 電阻分壓器應相對于引腳 33 連接。啟用反向模式時，引腳 32 被調節為 VAC_REV。
VAC	33	P
ACUV	34	I	交流欠壓比較器輸入 – 在 VAC 和 PGND 之間連接一個電阻分壓器以對欠壓保護進行編程。當該引腳低于 V_{REF_ACUV} 時，器件停止充電。輸入電壓調節基準的硬件限制為 V_{ACUV_DPM}。實際輸入電壓調節是引腳編程值和 VAC_DPM 寄存器值中的較高者。如果不使用 ACUV 編程，則將該引腳拉至 VAC，不要懸空。
ACOV	35	I	交流過壓比較器輸入 – 在 VAC 和 PGND 之間連接一個電阻分壓器以對過壓保護進行編程。當該引腳升至高于 V_{REF_ACOV} 時，器件停止充電。如果不使用 ACOV 編程，則將該引腳拉至 PGND，不要懸空。
FSW_SYNC	36	I	開關頻率和同步輸入 – 將外部電阻連接到 FSW_SYNC 引腳和 PGND 以設置標稱開關頻率。該引腳還可用于將 PWM 控制器與頻率為 200kHz 至 600kHz 的外部時鐘同步。
散熱焊盤	37	P	IC 下方的裸露焊盤 – 始終將散熱焊盤焊接到電路板上，并在散熱焊盤平面上通過過孔星形連接到 PGND 和大電流電源轉換器的接地平面。它還用作散熱焊盤以進行散熱。