ZHCSN01C December 2022 – February 2025 BQ25628 , BQ25629
PRODUCTION DATA
| 名稱 | 編號 | 類型(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|---|
| BQ25628 | BQ25629 | |||
| BTST | 1 | P | 高側開關 MOSFET 柵極驅動器電源 – 在 SW 和 BTST 之間連接一個 10V 或更高額定電壓的 47nF 陶瓷電容器,作為驅動高側開關 MOSFET (Q2) 的自舉電容器。 | |
| REGN | 2 | P | 充電器內部線性穩壓器輸出 – REGN 在內部連接到自舉二極管的陽極。在 REGN 與電源接地端之間連接一個額定電壓為 10V 或更高的 4.7μF 陶瓷電容器。該電容器應靠近 IC 放置。REGN LDO 輸出用于內部 MOSFET 柵極驅動電壓,以及偏置 BQ25629 中的外部 TS 引腳熱敏電阻。 | |
| PMID_GD | 3 | DO | 開漏高電平有效 PMID 正常狀態指示器 – 通過 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌 REGN。高電平表示 PMID 輸出電壓正常。當升壓模式輸出電壓過高或輸出電流過大時,該信號可用于驅動外部 PMOS FET 以斷開充電負載下的 PMID。 | |
| ILIM | D- | 4 | AIO | 輸入電流限制設置輸入引腳 – ILIM 引腳將輸入電流限制設置為 IINREG = KILIM / RILIM,其中 RILIM 連接在 ILIM 引腳到 GND 之間。輸入電流被限制在 ILIM 引腳和 IINDPM 寄存器位設置的兩個值中的較低值。ILIM 引腳還可用于監測輸入電流。輸入電流與 ILIM 引腳上的電壓成正比,可通過以下公式計算得出:IIN = (KILIM x VILIM) / (RILIM x 0.8)。當 EN_EXTILIM 位設置為 0 時,ILIM 引腳功能會被禁用。 |
| USB 數據線對的負線 – 基于 D+/D- 的 USB 主機/充電端口檢測。該檢測包括 BC1.2 中的數據接觸檢測 (DCD)、初級檢測和次級檢測。 | ||||
| TS_BIAS | D+ | 5 | P | TS 電阻分壓器的偏置 – 為 TS 電阻分壓器提供偏置電壓。 |
| AIO | USB 數據線對的正線 – 基于 D+/D- 的 USB 主機/充電端口檢測。該檢測包括 BC1.2 中的數據接觸檢測 (DCD)、初級檢測和次級檢測。 | |||
| TS | 6 | AI | 溫度鑒定電壓輸入 – 連接負溫度系數熱敏電阻。使用從 TS 引腳偏置基準(BQ25629 中的 REGN、BQ25628 中的 TS_BIAS)先后連接到 TS 和 GND 的電阻分壓器對溫度窗口進行編程。當 TS 引腳電壓超出范圍時,充電暫停。建議使用 103AT-2 10kΩ 熱敏電阻。 | |
| QON | 7 | DI | BATFET 使能或系統電源復位控制輸入 – 如果充電器處于運輸模式,則該引腳上具有 tSM_EXIT 持續時間的邏輯低電平將強制器件退出運輸模式。如果充電器未處于運輸模式,則當 VVBUS < VVBUS_UVLO 或 BATFET_CTRL_WVBUS = 1 時,該引腳上具有 tQON_RST 持續時間的邏輯低電平將啟動完全系統電源復位。QON 在關斷模式下無效。該引腳有一個內部上拉電阻器用于保持默認的高電平邏輯。 | |
| BAT | 8 | P | 電池充電電源連接 – 連接到電池包的正極端子。內部 BATFET 連接在 SYS 和 BAT 之間。 | |
| SYS | 9 | P | 連接到系統的充電器輸出電壓 – 連接到系統的降壓轉換器輸出連接點。內部 BATFET 連接在 SYS 和 BAT 之間。 | |
| STAT | 10 | DO | 開漏充電狀態輸出 – 表示各種充電器操作。通過 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。低電平表示正在充電。高電平表示充電完成或充電被禁用。當發生任何故障情況時,STAT 引腳以 1Hz 的頻率閃爍。設置 DIS_STAT = 1 會禁用 STAT 引腳功能,從而導致該引腳被拉至高電平。如果未使用,則保持懸空。 | |
| INT | 11 | DO | 開漏中斷輸出– 通過 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。INT 引腳向主機發送一個低電平有效的 256μs 脈沖以報告充電器器件狀態和故障。 | |
| SDA | 12 | DIO | I2C 接口數據 – 通過 10kΩ 電阻器將 SDA 連接到邏輯軌。 | |
| SCL | 13 | DI | I2C 接口時鐘 – 通過 10kΩ 電阻器將 SCL 連接到邏輯軌。 | |
| CE | 14 | DI | 低電平有效充電使能引腳 – 當 EN_CHG 位為 1 且 CE 引腳為低電平時,會啟用電池充電。必須將 CE 引腳拉至高電平或低電平,不要保持懸空。 | |
| GND | 15 | P | 接地回路 | |
| SW | 16 | P | 連接到輸出電感器的開關節點 – SW 在內部連接到 N 溝道 HSFET 的源極和 N 溝道 LSFET 的漏極。在 SW 和 BTST 之間連接一個 47nF 自舉電容器。 | |
| PMID | 17 | P | HSFET 漏極連接 – PMID 在內部連接到反向阻斷 MOSFET (RBFET) 的漏極和 HSFET 的漏極。 | |
| VBUS | 18 | P | 充電器輸入電壓 – 內部 N 溝道反向阻斷 MOSFET (RBFET) 連接在 VBUS 和 PMID 之間,確保 VBUS 位于源極上。 | |