ZHCSN01C December 2022 – February 2025 BQ25628 , BQ25629
PRODUCTION DATA
典型的 TS 電阻器網絡如下圖所示。
RT1 和 RT2 的值取決于熱敏電阻在 0oC 和 60oC 時的阻值(RTH0degC 和 RTH60degC)以及相應的電壓閾值 VTS_0degC 和 VTS_60degC(以 REGN 的百分比表示,值介于 0 和 1 之間)。為了實現更精確的熱敏電阻曲線擬合,請使用 VTS_COLD 在 0oC 時的上升閾值以及 VTS_HOT 在 60oC 時的下降閾值,不考慮 TS_TH1_TH2_TH3 和 TS_TH4_TH5_TH6 的實際寄存器設置。
假設電池包上有一個 103AT NTC 熱敏電阻,RT1 的計算結果是 5.23kΩ,RT2 的計算結果是 30.1kΩ。
如果熱敏電阻從 TS_BIAS 偏置,則應當對照 ITS_BIAS_FAULT 來檢查最大電流。在熱敏電阻處于 0Ω 阻抗的最壞情況下(非常熱),偏置電流為:
當 RT1 為 5.30kΩ 時,最大 IBIAS 為 0.94mA,遠低于最小 ITS_BIAS_FAULT 閾值。103AT NTC 熱敏電阻是建議的熱敏電阻,具有 10kΩ 標稱阻抗。使用阻抗較低的熱敏電阻將更改 R1 的值,并可能產生超過 TS_BIAS 引腳故障閾值的偏置電流。TS_STAT[2:0] 設置為 111。