ZHCSMZ9D September 2022 – February 2025 BQ25620 , BQ25622
PRODUCTION DATA
在設計輸入電容時應確保能夠提供足夠的額定紋波電流以吸收輸入開關紋波電流。當占空比為 0.5 時,最壞情況下的 RMS 紋波電流是充電電流的一半。如果轉換器不以 50% 的占空比運行,則最壞情況下的電容器 RMS 電流 ICin 發生在占空比最接近 50% 的位置,并可使用方程式 5 估算得出。

X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷電容器是輸入去耦電容器的首選,應盡可能靠近高側 MOSFET 的漏極 (PMID) 和低側 MOSFET 的源極 (GND) 放置。電容器的額定電壓必須高于正常輸入電壓電平。對于 15V 輸入電壓,首選額定電壓為 25V 或更高的電容器。一般充電電流為 3.5A 時,建議使用 10μF 的陶瓷電容器。