ZHCSXX0 February 2025 AMC23C10-Q1
PRODUCTION DATA
7.4 電源相關建議
AMC23C10-Q1 無需任何特定的上電時序。高側電源 (VDD1) 通過與低 ESR、1μF 電容器 (C2) 并聯的低 ESR、100nF 電容器 (C1) 進行去耦。低側電源 (VDD2) 同樣通過與低 ESR、1μF 電容器 (C4) 并聯的低 ESR、100nF 電容器 (C3) 進行去耦。將所有四個電容器（C1、C2、C3 和 C4）盡可能靠近器件放置。圖 7-5 展示了 AMC23C10-Q1 的去耦示意圖。
對于高 VDD1 電源電壓 (>5.5V)，可將 VDD1 電源與 10Ω 電阻器 (R4) 串聯在一起以進行額外的濾波。
圖 7-5 AMC23C10-Q1 去耦確保電容器能夠在應用中出現適用的直流偏置條件下，提供充足的有效電容。實際條件下，通常僅使用多層陶瓷電容器 (MLCC) 標稱電容的一小部分。因此在選擇這些電容器時，應考慮到這個因素。此問題在低厚度電容器中尤為嚴重，在該類電容器中，電容器越薄，電介質電場強度越大。知名電容器制造商提供了電容與直流偏置關系曲線，這大大簡化了元件的選型。