ZHCSTO7A October 2024 – September 2025 AMC0386-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DFX|15
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.4 電源相關(guān)建議
在典型應(yīng)用中，AMC0386-Q1 的高側(cè)電源 (AVDD) 由隔離式直流/直流轉(zhuǎn)換器從低側(cè)電源 (DVDD) 生成。一種低成本的方案基于推挽式驅(qū)動(dòng)器 SN6501-Q1 和支持所需隔離電壓額定值的變壓器。
AMC0386-Q1 無(wú)需任何特定的上電時(shí)序。高側(cè)電源 (AVDD) 通過(guò)與低 ESR、1μF 電容器 (C2) 并聯(lián)的低 ESR、100nF 電容器 (C1) 進(jìn)行去耦。低側(cè)電源 (DVDD) 同樣通過(guò)與低 ESR、1μF 電容器 (C4) 并聯(lián)的低 ESR、100nF 電容器 (C3) 進(jìn)行去耦。將所有四個(gè)電容器（C1、C2、C3 和 C4）盡可能靠近器件放置。圖 8-4 展示了 AMC0386-Q1 的去耦圖。
圖 8-4 AMC0386-Q1 去耦在應(yīng)用中出現(xiàn)的適用直流偏置條件下，驗(yàn)證電容器能提供足夠 有效 的電容。在實(shí)際條件下，通常僅使用多層陶瓷電容器 (MLCC) 標(biāo)稱(chēng)電容的一小部分。在選擇這些電容器時(shí)，應(yīng)考慮到這個(gè)因素。此問(wèn)題在低厚度電容器中尤為嚴(yán)重，在該類(lèi)電容器中，電容器越薄，電介質(zhì)電場(chǎng)強(qiáng)度越大。知名電容器制造商提供了電容與直流偏置關(guān)系曲線，這大大簡(jiǎn)化了元件的選型。