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TPS7H6023-SP

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耐輻射、QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅動器

產品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 22 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 22 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
CFP (HBX) 48 468.72 mm2 16.74 x 28
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立輸入
  • 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護
  • 分離輸出實現可調的導通和關斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立輸入
  • 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護
  • 分離輸出實現可調的導通和關斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配

TPS7H60x3-SP 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等級）、TPS7H6013-SP（60V 等級）和 TPS7H6023-SP（22V 等級）。這些驅動器具有可調節死區時間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高側和低側 LDO，無論電源電壓如何，都能確保驅動電壓為 5V。TPS7H60x3-SP 驅動器都具有分離柵輸出，可獨立靈活地調節輸出的導通和關斷強度。

TPS7H60x3-SP 驅動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入來控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產生，用戶可以調節每個邊沿的死區時間。

柵極驅動器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨立輸入模式下作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導通時，輸入互鎖不允許兩個輸出同時導通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，從而可以在多種不同的轉換器配置中使用該驅動器。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。

TPS7H60x3-SP 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等級）、TPS7H6013-SP（60V 等級）和 TPS7H6023-SP（22V 等級）。這些驅動器具有可調節死區時間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高側和低側 LDO，無論電源電壓如何，都能確保驅動電壓為 5V。TPS7H60x3-SP 驅動器都具有分離柵輸出，可獨立靈活地調節輸出的導通和關斷強度。

TPS7H60x3-SP 驅動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入來控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產生，用戶可以調節每個邊沿的死區時間。

柵極驅動器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨立輸入模式下作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導通時，輸入互鎖不允許兩個輸出同時導通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，從而可以在多種不同的轉換器配置中使用該驅動器。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。
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* 數據表 TPS7H60x3-SP 耐輻射保障 1.3A、2.5A、 半橋 GaN FET 柵極驅動器 數據表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2024年 4月 27日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H60X3-SP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report (Rev. A) PDF | HTML 2024年 8月 13日
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* 輻射與可靠性報告 TPS7H6003-SP Single-Event Effects (SEE) Report (Rev. A) PDF | HTML 2024年 6月 17日
* SMD TPS7H6023-SP SMD 5962-22201 2024年 4月 30日
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設計和開發

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評估板

TPS7H6023EVM-CVAL — TPS7H6023-SP 評估模塊

TPS7H6023EVM-CVAL 用戶指南提供了操作 TPS7H6023-SP 評估模塊的全面說明。該電路板可接受高達 14V 的輸入電壓，允許設計人員通過驅動氮化鎵 (GaN) FET 來測試 TPS7H6023-SP 的可靠性。默認情況下，該評估模塊設置為在 PWM 模式下與 TPS7H6023-SP 一起運行。該模式接受一個開關信號的輸入，并在內部生成互補信號。
用戶指南: PDF | HTML
英語版 (Rev.B): PDF | HTML
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評估板

ALPHA-3P-ADM-VA601-SPACE-AMD — 采用 AMD Versal Core XQRVC1902 ACAP 和 TI 抗輻射產品的 Alpha Data ADM-VA601 套件

具有 6U VPX 外形，突出了 AMD-Xilinx? Versal AI Core XQRVC1902 自適應 SoC/FPGA。ADM-VA600 采用模塊化板設計，帶有一個 FMC+ 連接器、DDR4 DRAM 和系統監控功能。大多數元件是耐輻射電源管理、接口、時鐘和嵌入式處理 (-SEP) 器件。

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仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS Model
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模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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參考設計

TIDA-010958 — 耐輻射雙相 Versal? FPGA 電源參考設計

TIDA-010958 是一種面向 AMD? Versal? AI Core XQRVC1902 內核電源軌的耐輻射同步降壓電源參考設計。此設計適用于 12V 輸入操作，可生成 0.8V 的輸出電壓和最大 80A 的輸出電流。這種緊湊型電源設計可提供高電流，同時滿足 FPGA 的小容差要求。該電源設計與 Versal? AI Core XQRVC1902 結合使用，可為衛星提供執行不同任務所需的精度、可靠性和效率。TIDA-010958 采用耐輻射器件，在可用時無源元件符合 MIL 標準 MIL-STD-55681（或等效版本）。否則，替換為等效的值和元件尺寸。
設計指南: PDF
參考設計

PMP23389 — 航天級 12V 至 5V、15A 同步降壓轉換器參考設計

此參考設計使用 TPS7H5002-SP PWM 控制器來控制同步降壓，可將標稱 12V 輸入轉換為 5.1V 固定輸出，并支持高達 15A 的負載。TPS7H6023-SP 可驅動 GaN FET，從而在太空應用中實現可靠的設計。可直接檢測輸出電流，以實現遙測和過流保護。此設計以 750KHz 的頻率進行開關，可實現 93% 以上的效率，輸出波紋低于 30mV。
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
CFP (HBX) 48 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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