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TPS7H6015-SEP

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耐輻射、60V 半橋 GaN 柵極驅動器

產品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 60 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 60 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
HTSSOP (DCA) 56 113.4 mm2 14 x 8.1
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子瞬變 (SET)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立輸入
  • 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護
  • 分離輸出實現可調的導通和關斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配
  • 通過符合 ASTM E595 標準的塑料封裝廢氣測試
  • 可用于軍用溫度范圍，即 -55°C 至 125°C
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子瞬變 (SET)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立輸入
  • 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護
  • 分離輸出實現可調的導通和關斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配
  • 通過符合 ASTM E595 標準的塑料封裝廢氣測試
  • 可用于軍用溫度范圍，即 -55°C 至 125°C

TPS7H60x5 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率和高電流應用而設計。該系列包括 TPS7H6005（200V 等級）、TPS7H6015（60V 等級）和 TPS7H6025（22V 等級）。這些器件全都采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，并提供 QMLP 和增強型航天塑料 (SEP) 等級。這些驅動器具有可調節死區時間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高側和低側 LDO，無論電源電壓如何，都能確保驅動電壓為 5V。TPS7H60x5 驅動器都具有分離柵極輸出，可獨立靈活地調節輸出的導通和關斷強度。

TPS7H60x5 驅動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入來控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產生，用戶可以調節每個邊沿的死區時間。

柵極驅動器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨立輸入模式下作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導通時，輸入互鎖不允許兩個輸出同時導通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，從而可以在多種不同的轉換器配置中使用該驅動器。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。

TPS7H60x5 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率和高電流應用而設計。該系列包括 TPS7H6005（200V 等級）、TPS7H6015（60V 等級）和 TPS7H6025（22V 等級）。這些器件全都采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，并提供 QMLP 和增強型航天塑料 (SEP) 等級。這些驅動器具有可調節死區時間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高側和低側 LDO，無論電源電壓如何，都能確保驅動電壓為 5V。TPS7H60x5 驅動器都具有分離柵極輸出，可獨立靈活地調節輸出的導通和關斷強度。

TPS7H60x5 驅動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入來控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產生，用戶可以調節每個邊沿的死區時間。

柵極驅動器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨立輸入模式下作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導通時，輸入互鎖不允許兩個輸出同時導通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，從而可以在多種不同的轉換器配置中使用該驅動器。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。
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* 數據表 TPS7H60x5-SP 和 TPS7H60x5-SEP 耐輻射保障半橋 GaN FET 柵極驅動器 數據表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 5月 5日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H6005-SEP, TPS7H6015-SEP and TPS7H6025-SEP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report (Rev. A) 2025年 4月 30日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H6015-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report 2025年 4月 29日
* VID TPS7H6015-SEP VID TPS7H6015-SEP V62-24632 2025年 4月 8日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H60X5-SEP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2024年 11月 14日
選擇指南 TI Space Products (Rev. K) 2025年 4月 4日
應用手冊 借助增強型航天塑料產品降低近地軌道任務的風險 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 10月 14日
電子書 電子產品輻射手冊 (Rev. A) 2019年 5月 21日

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TPS7H6015EVM — TPS7H6015 評估模塊

TPS7H6015EVM 用戶指南提供了操作 TPS7H6015 評估模塊的全面說明。默認情況下，該評估模塊設置為在脈寬調制模式下與 TPS7H6015-SEP 一起運行。該模式接受一個開關信號作為輸入，并在內部生成互補信號。這可以更改為器件的獨立輸入模式，在該模式下，兩個輸出彼此獨立工作。
用戶指南: PDF | HTML
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仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

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TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

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PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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HTSSOP (DCA) 56 Ultra Librarian

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