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UCD7242-EP

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數(shù)字雙通道同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器，UCD7242-EP

產(chǎn)品詳情

Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -55 to 125
Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -55 to 125
VQFN-HR (RSJ) 32 36 mm2 6 x 6
  • 具有針對(duì)雙路同步降壓轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)器的全集成電源開關(guān)
  • 完全兼容 TI 整合數(shù)字電源 (Fusion Digital Power) 控制器，如 UCD92xx 系列
  • 寬輸入電壓范圍：4.75V 至 18V
    運(yùn)行低至具有一個(gè)外部偏置電源的 2.2V 輸入
  • 每通道高達(dá) 10A 輸出電流
  • 工作開關(guān)頻率 2 MHz
  • 具有電流限值標(biāo)記的高側(cè)電流限值
  • 來自 VIN 的板載經(jīng)穩(wěn)壓 6V 驅(qū)動(dòng)器電源
  • 過熱保護(hù)
  • 熱感測輸出 - 電壓與芯片溫度成比例
  • 欠壓閉鎖 (UVLO) 和過壓閉鎖 (OVLO) 確保適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電壓
  • 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 精確的芯片上電流感測 (±5%)

應(yīng)用范圍

  • 數(shù)控同步降壓功率級(jí)
  • 針對(duì)臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器、電信和筆記本處理器的高電流雙相位電壓調(diào)整模塊和企業(yè)級(jí)降壓穩(wěn)壓器 (VRM/EVRD) 穩(wěn)壓器

支持國防、航空航天、和醫(yī)療應(yīng)用

  • 受控基線
  • 同一組裝和測試場所
  • 一個(gè)制造場所
  • 支持軍用（-55°C 至 125°C）溫度范圍
  • 延長的產(chǎn)品生命周期
  • 延長的產(chǎn)品變更通知
  • 產(chǎn)品可追溯性
  • 具有針對(duì)雙路同步降壓轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)器的全集成電源開關(guān)
  • 完全兼容 TI 整合數(shù)字電源 (Fusion Digital Power) 控制器，如 UCD92xx 系列
  • 寬輸入電壓范圍：4.75V 至 18V
    運(yùn)行低至具有一個(gè)外部偏置電源的 2.2V 輸入
  • 每通道高達(dá) 10A 輸出電流
  • 工作開關(guān)頻率 2 MHz
  • 具有電流限值標(biāo)記的高側(cè)電流限值
  • 來自 VIN 的板載經(jīng)穩(wěn)壓 6V 驅(qū)動(dòng)器電源
  • 過熱保護(hù)
  • 熱感測輸出 - 電壓與芯片溫度成比例
  • 欠壓閉鎖 (UVLO) 和過壓閉鎖 (OVLO) 確保適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電壓
  • 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 精確的芯片上電流感測 (±5%)

應(yīng)用范圍

  • 數(shù)控同步降壓功率級(jí)
  • 針對(duì)臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器、電信和筆記本處理器的高電流雙相位電壓調(diào)整模塊和企業(yè)級(jí)降壓穩(wěn)壓器 (VRM/EVRD) 穩(wěn)壓器

支持國防、航空航天、和醫(yī)療應(yīng)用

  • 受控基線
  • 同一組裝和測試場所
  • 一個(gè)制造場所
  • 支持軍用（-55°C 至 125°C）溫度范圍
  • 延長的產(chǎn)品生命周期
  • 延長的產(chǎn)品變更通知
  • 產(chǎn)品可追溯性

UCD7242 是一款可驅(qū)動(dòng)兩個(gè)獨(dú)立降壓電源的完整電源系統(tǒng)（請(qǐng)見 ）。 在一個(gè)單片解決方案中完全集成高側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)，低側(cè) MOSFET，驅(qū)動(dòng)器，電流感測電路以及必要的保護(hù)功能，以最大限度地減小尺寸和提高效率。 驅(qū)動(dòng)器電路可在同步降壓電路中為高側(cè) NMOS 開關(guān)和低側(cè) NMOS 同步整流器提供高充電及放電電流。 MOSFET 柵極可由內(nèi)部經(jīng)穩(wěn)壓 VGG 電源驅(qū)動(dòng)至 +6.25V 電壓。 可禁用內(nèi)部 VGG 穩(wěn)壓器，以允許用戶提供一個(gè)獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。 這種高靈活性支持 2.2V 至 18V 寬電源轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍。內(nèi)部欠壓閉鎖 (UVLO) 邏輯可在允許芯片工作之前確保 VGG 良好。

同步整流器使能 (SRE) 引腳在 PWM 信號(hào)為低電平時(shí)控制低側(cè) MOSFET 是否打開。 當(dāng) SRE 為高電平時(shí)，此部件針對(duì)所有負(fù)載以連續(xù)傳導(dǎo)模式運(yùn)行。 在這個(gè)模式下，此驅(qū)動(dòng)邏輯模塊使用脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)來控制高側(cè)與低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 還優(yōu)化了死區(qū)時(shí)間以防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)。 當(dāng) SRE 為低電平時(shí)，此部件在輕負(fù)載時(shí)運(yùn)行在斷續(xù)傳導(dǎo)模式下。 在這個(gè)模式下，低側(cè) MOSFET 始終保持關(guān)閉。

板載比較器監(jiān)控流經(jīng)高側(cè)開關(guān)的電流，以保護(hù)功率級(jí)不受突發(fā)高電流負(fù)載的影響。 針對(duì)高側(cè)比較器設(shè)置消隱延遲，以避免與開關(guān)邊沿噪聲同時(shí)發(fā)生故障報(bào)告。 如果發(fā)生過流故障，高側(cè) FET 被關(guān)閉并且故障標(biāo)志 (FLT) 被置為有效以警告控制器。

由一個(gè)高精度集成電流感測元件測量和監(jiān)控 MOSFET 電流。 這個(gè)方法在大多數(shù)負(fù)載范圍內(nèi)提供 ±5% 的精度。 IMON 引腳上的控制器可使用這個(gè)被放大的信號(hào)。

一個(gè)片載溫度感測將芯片溫度轉(zhuǎn)換為供控制器使用的 TMON 上的電壓。 如果芯片溫度超過 170°C，此溫度傳感器發(fā)起一個(gè)暫停輸出切換的熱關(guān)斷并且將 FLT 標(biāo)志置位。 當(dāng)芯片溫度下降到低于熱滯后頻帶時(shí)，正常運(yùn)行恢復(fù)。

UCD7242 是一款可驅(qū)動(dòng)兩個(gè)獨(dú)立降壓電源的完整電源系統(tǒng)（請(qǐng)見 ）。 在一個(gè)單片解決方案中完全集成高側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)，低側(cè) MOSFET，驅(qū)動(dòng)器，電流感測電路以及必要的保護(hù)功能，以最大限度地減小尺寸和提高效率。 驅(qū)動(dòng)器電路可在同步降壓電路中為高側(cè) NMOS 開關(guān)和低側(cè) NMOS 同步整流器提供高充電及放電電流。 MOSFET 柵極可由內(nèi)部經(jīng)穩(wěn)壓 VGG 電源驅(qū)動(dòng)至 +6.25V 電壓。 可禁用內(nèi)部 VGG 穩(wěn)壓器，以允許用戶提供一個(gè)獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。 這種高靈活性支持 2.2V 至 18V 寬電源轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍。內(nèi)部欠壓閉鎖 (UVLO) 邏輯可在允許芯片工作之前確保 VGG 良好。

同步整流器使能 (SRE) 引腳在 PWM 信號(hào)為低電平時(shí)控制低側(cè) MOSFET 是否打開。 當(dāng) SRE 為高電平時(shí)，此部件針對(duì)所有負(fù)載以連續(xù)傳導(dǎo)模式運(yùn)行。 在這個(gè)模式下，此驅(qū)動(dòng)邏輯模塊使用脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)來控制高側(cè)與低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 還優(yōu)化了死區(qū)時(shí)間以防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)。 當(dāng) SRE 為低電平時(shí)，此部件在輕負(fù)載時(shí)運(yùn)行在斷續(xù)傳導(dǎo)模式下。 在這個(gè)模式下，低側(cè) MOSFET 始終保持關(guān)閉。

板載比較器監(jiān)控流經(jīng)高側(cè)開關(guān)的電流，以保護(hù)功率級(jí)不受突發(fā)高電流負(fù)載的影響。 針對(duì)高側(cè)比較器設(shè)置消隱延遲，以避免與開關(guān)邊沿噪聲同時(shí)發(fā)生故障報(bào)告。 如果發(fā)生過流故障，高側(cè) FET 被關(guān)閉并且故障標(biāo)志 (FLT) 被置為有效以警告控制器。

由一個(gè)高精度集成電流感測元件測量和監(jiān)控 MOSFET 電流。 這個(gè)方法在大多數(shù)負(fù)載范圍內(nèi)提供 ±5% 的精度。 IMON 引腳上的控制器可使用這個(gè)被放大的信號(hào)。

一個(gè)片載溫度感測將芯片溫度轉(zhuǎn)換為供控制器使用的 TMON 上的電壓。 如果芯片溫度超過 170°C，此溫度傳感器發(fā)起一個(gè)暫停輸出切換的熱關(guān)斷并且將 FLT 標(biāo)志置位。 當(dāng)芯片溫度下降到低于熱滯后頻帶時(shí)，正常運(yùn)行恢復(fù)。
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* 數(shù)據(jù)表 數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器, UCD7242-EP 數(shù)據(jù)表 英語版 PDF | HTML 2013年 11月 7日
* VID UCD7242-EP VID V6214601 2016年 6月 21日

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VQFN-HR (RSJ) 32 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

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  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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