UCC27516
- 低成本柵極驅(qū)動器器件提供 NPN 和 PNP 離散解決方案的高品質(zhì)替代產(chǎn)品
- 4A 峰值拉電流和 4A 峰值灌電流對稱驅(qū)動
- 短暫傳播延遲(典型值 13ns)
- 短暫上升和下降時間(典型值分別為 9ns 和 7ns)
- 4.5V 至 18V 單電源范圍
- VDD 欠壓閉鎖 (UVLO) 期間輸出保持低電平(確保上電和掉電時無毛刺脈沖運行)
- 晶體管邏輯 (TTL) 和互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 兼容輸入邏輯閾值(與電源電壓無關(guān))
- 針對高抗擾度的滯后邏輯閾值
- 雙輸入設(shè)計(可選擇反相(IN- 引腳)或非反相(IN+ 引腳)驅(qū)動器配置)
- 未使用的輸入引腳可用于使能或禁用功能
- 當輸入引腳懸空時,輸出保持在低電平
- 輸入引腳絕對最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓的限制
- -40°C 至 140°C 的運行溫度范圍
- 5 引腳 DBV (SOT-23) 和 6 引腳 DRS(3mm x
3mm 帶有外露散熱焊盤的晶圓級小外形無引線 (WSON))封裝選項
應(yīng)用
- 開關(guān)模式電源
- 直流-直流轉(zhuǎn)換器
- 針對數(shù)字電源控制器的伴隨柵極驅(qū)動器器件
- 太陽能、電機控制、不間斷電源 (UPS)
- 用于新上市的寬帶隙電源器件(例如 GaN)的柵極驅(qū)動器
All trademarks are the property of their respective owners.
UCC27516 和 UCC27517 單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可有效驅(qū)動金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 電源開關(guān)。UCC27516 和 UCC27517 采用的設(shè)計方案可最大程度減少擊穿電流,從而為電容負載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖,同時提供軌到軌驅(qū)動能力以及超短的傳播延遲(典型值為 13ns)。
當 VDD = 12V 時,UCC27516 和 UCC27517 可提供峰值為 4A 的灌/拉(對稱驅(qū)動)電流驅(qū)動能力。
UCC27516 和 UCC27517 具有 4.5V 至 18V 的寬 VDD 范圍,以及 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍。VDD 引腳上的內(nèi)部欠壓閉鎖 (UVLO) 電路可在超出 VDD 運行范圍時使輸出保持低電平。此器件能夠在低電壓(例如低于 5V)下運行,并且擁有同類產(chǎn)品中較好的開關(guān)特性,因此非常適用于驅(qū)動諸如 GaN 功率半導(dǎo)體器件等新上市的寬帶隙電源開關(guān)器件。
UCC27516 和 UCC27517 特有雙輸入設(shè)計,同一器件可靈活實現(xiàn)反相(IN- 引腳)和非反相(IN+ 引腳)配置。IN+ 引腳和 IN- 引腳中的任何一個都可用于控制此驅(qū)動器輸出的狀態(tài)。未使用的輸入引腳可被用于啟用和禁用功能。出于安全考慮,輸入引腳上的內(nèi)部上拉和下拉電阻器在輸入引腳處于懸空狀態(tài)時,確保輸出被保持在低電平。因此,未使用的輸入引腳不能保留在懸空狀態(tài)而必須被適當?shù)钠茫源_保驅(qū)動器輸出被使能用于正常運行。
UCC27516 和 UCC27517 器件的輸入引腳閾值是基于 TTL 和 COMS 兼容低壓邏輯電路的,此邏輯電路是固定的且與 VDD 電源電壓無關(guān)。高低閾值間的寬滯后提供了出色的抗擾度。
技術(shù)文檔
| 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | UCC2751x 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器(具有 4A 峰值拉電流和 4A 峰值灌電流) 數(shù)據(jù)表 (Rev. D) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2016年 8月 15日 |
| 應(yīng)用簡報 | 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應(yīng)用簡報 | 適用于柵極驅(qū)動器的外部柵極電阻器設(shè)計指南 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應(yīng)用簡報 | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
| 更多文獻資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| 選擇指南 | 電源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||||
| 應(yīng)用簡報 | Enable Function with Unused Differential Input | 2018年 7月 11日 | ||||
| 選擇指南 | 電源管理指南 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 | ||||
| 更多文獻資料 | MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理 | 最新英語版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
| 應(yīng)用簡報 | Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole | 2018年 3月 16日 |
設(shè)計和開發(fā)
如需其他信息或資源,請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看(如有)。
PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計和仿真工具
借助?PSpice for TI 的設(shè)計和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫,您可對復(fù)雜的混合信號設(shè)計進行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計和原型解決方案,然后再進行布局和制造,可縮短產(chǎn)品上市時間并降低開發(fā)成本。?
在?PSpice for TI 設(shè)計和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WSON (DRS) | 6 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。