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UCC27512-EP

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具有 5V UVLO、采用 SON 封裝的增強型產品 4A/8A 單通道柵極驅動器

產品詳情

Number of channels 1 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 8 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Hysteretic Logic Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 7 Propagation delay time (μs) 0.013 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating HiRel Enhanced Product Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Inverting, Non-Inverting
Number of channels 1 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 8 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Hysteretic Logic Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 7 Propagation delay time (μs) 0.013 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating HiRel Enhanced Product Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Inverting, Non-Inverting
WSON (DRS) 6 9 mm2 3 x 3
  • 低成本、柵極驅動器器件提供 NPN 和 PNP 離散解決方案的高品質替代產品
  • 4A 峰值拉電流和 8A 峰值灌電流非對稱驅動
  • 強勁的灌電流提供增強的抗米勒接通效應性能
  • 快速傳播延遲（典型值 13ns）
  • 快速上升和下降時間（典型值 9ns 和 7ns）
  • 4.5V 至 18V 單一電源范圍
  • 在 VDD 欠壓閉鎖 (UVLO) 期間，輸出保持低電平（以保證加電和斷電時的無毛刺脈沖運行）
  • TTL 和 CMOS 兼容輸入邏輯閥值，（與電源電壓無關）
  • 用于高抗噪性的滯后邏輯閥值
  • 雙輸入設計（選擇一個反相（IN- 引腳）或者同相（IN+ 引腳）驅動器配置）
    • 未使用的輸入引腳可被用于啟用或者禁用功能
  • 當輸入引腳懸空時輸出保持在低電平
  • 輸入引腳絕對最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓的限制
  • 6 引腳 DRS（帶有散熱墊的 3mm x 3 mm 超薄小外形尺寸 (WSON) 封裝）封裝
  • 低成本、柵極驅動器器件提供 NPN 和 PNP 離散解決方案的高品質替代產品
  • 4A 峰值拉電流和 8A 峰值灌電流非對稱驅動
  • 強勁的灌電流提供增強的抗米勒接通效應性能
  • 快速傳播延遲（典型值 13ns）
  • 快速上升和下降時間（典型值 9ns 和 7ns）
  • 4.5V 至 18V 單一電源范圍
  • 在 VDD 欠壓閉鎖 (UVLO) 期間，輸出保持低電平（以保證加電和斷電時的無毛刺脈沖運行）
  • TTL 和 CMOS 兼容輸入邏輯閥值，（與電源電壓無關）
  • 用于高抗噪性的滯后邏輯閥值
  • 雙輸入設計（選擇一個反相（IN- 引腳）或者同相（IN+ 引腳）驅動器配置）
    • 未使用的輸入引腳可被用于啟用或者禁用功能
  • 當輸入引腳懸空時輸出保持在低電平
  • 輸入引腳絕對最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓的限制
  • 6 引腳 DRS（帶有散熱墊的 3mm x 3 mm 超薄小外形尺寸 (WSON) 封裝）封裝

UCC27512 單通道、高速、低側柵極驅動器器件能夠有效地驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 電源開關。 通過使用本身能夠大大減少擊穿電流的設計，UCC27512 能夠拉、灌高、峰值電流脈沖進入到電容負載，此電容負載提供了軌到軌驅動能力以及極小傳播延遲（典型值為 13ns）。

UCC27512 提供 4A 拉，8A 灌（非對稱驅動）峰值驅動電流能力。 非對稱驅動中的強勁灌電流能力提升了抗寄生、米勒接通效應的能力。

UCC27512 設計用于在 4.5V 至 18V 的寬 VDD 范圍和 -55°C 至 125°C 的寬溫度范圍內運行。 VDD 引腳上的內部欠壓閉鎖 (UVLO) 電路保持 VDD 運行范圍之外的輸出低電平。 能夠運行在諸如 5V 的低電壓電平上，連同同類產品中最佳的開關特性，使得此器件非常適合于驅動諸如氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件等新上市寬帶隙電源開關器件。

UCC27512 單通道、高速、低側柵極驅動器器件能夠有效地驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 電源開關。 通過使用本身能夠大大減少擊穿電流的設計，UCC27512 能夠拉、灌高、峰值電流脈沖進入到電容負載，此電容負載提供了軌到軌驅動能力以及極小傳播延遲（典型值為 13ns）。

UCC27512 提供 4A 拉，8A 灌（非對稱驅動）峰值驅動電流能力。 非對稱驅動中的強勁灌電流能力提升了抗寄生、米勒接通效應的能力。

UCC27512 設計用于在 4.5V 至 18V 的寬 VDD 范圍和 -55°C 至 125°C 的寬溫度范圍內運行。 VDD 引腳上的內部欠壓閉鎖 (UVLO) 電路保持 VDD 運行范圍之外的輸出低電平。 能夠運行在諸如 5V 的低電壓電平上，連同同類產品中最佳的開關特性，使得此器件非常適合于驅動諸如氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件等新上市寬帶隙電源開關器件。
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* 數據表 單通道高速、低側柵極驅動器（具有4A 峰值拉電流和8A 峰值灌電流） 數據表 英語版 PDF | HTML 2013年 7月 1日
* 輻射與可靠性報告 UCC27512MDRSTEP Reliability Report 2016年 2月 9日
應用簡報 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
應用簡報 適用于柵極驅動器的外部柵極電阻器設計指南 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
應用簡報 How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs 2019年 1月 18日
應用簡報 Enable Function with Unused Differential Input 2018年 7月 11日
應用簡報 Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole 2018年 3月 16日

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