主頁 電源管理 柵極驅(qū)動器 低側(cè)驅(qū)動器

UCC27332-Q1

正在供貨

具有 20V VDD 和使能端的汽車級 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (μs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (μs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm2 3 x 4.9
  • 符合汽車應用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 H2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 業(yè)界通用引腳排列
  • 典型的 9A 灌電流、9A 拉電流輸出
  • 輸入引腳可承受高達 -5V 的電壓
  • 絕對最大 VDD 電壓：20V
  • 寬 VDD 工作范圍為 4.5V 至 18V
  • 采用 3mm x 3mm MSOP8 封裝
  • 典型值為 25ns 的傳播延遲
  • TTL 兼容輸入閾值
  • 工作結溫范圍：–40°C 至 125°C
  • 符合汽車應用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 H2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 業(yè)界通用引腳排列
  • 典型的 9A 灌電流、9A 拉電流輸出
  • 輸入引腳可承受高達 -5V 的電壓
  • 絕對最大 VDD 電壓：20V
  • 寬 VDD 工作范圍為 4.5V 至 18V
  • 采用 3mm x 3mm MSOP8 封裝
  • 典型值為 25ns 的傳播延遲
  • TTL 兼容輸入閾值
  • 工作結溫范圍：–40°C 至 125°C

UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，能夠有效地驅(qū)動 MOSFET 和 GaN 開關管。UCC27332-Q1 的典型峰值驅(qū)動強度為 9A，這有助于縮短開關管的上升和下降時間、降低開關損耗并提高效率。UCC27332-Q1 器件的短傳播延遲可改善系統(tǒng)的死區(qū)優(yōu)化、控制環(huán)路響應，提高脈寬利用率和瞬態(tài)性能，從而提高功率級效率。

UCC27332-Q1 可以在輸入端處理 –5V 的電壓，通過平緩的接地反彈提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。獨立的使能信號支持在不依賴主控制邏輯的情況下對功率級進行控制。如果在系統(tǒng)中檢測到故障，柵極驅(qū)動器可以快速關斷功率級（需要關斷動力總成）。使能功能還可提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。許多高頻開關電源在電源器件的柵極都存在高頻噪音，這種噪音會進入柵極驅(qū)動器的輸出引腳，造成驅(qū)動器故障。UCC27332-Q1 具有瞬態(tài)反向電流和反向電壓功能，因此在上述情況下具有優(yōu)異的性能。

如果 VDD 電壓低于指定的上電復位閾值，強大的內(nèi)部下拉 MOSFET 可使輸出保持低電平。此有源下拉特性可進一步改善系統(tǒng)穩(wěn)健性。小型 3mm × 3mm MSOP 封裝可優(yōu)化柵極驅(qū)動器放置并改進布局。這種小型封裝還可優(yōu)化柵極驅(qū)動器放置并改進布局。

UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，能夠有效地驅(qū)動 MOSFET 和 GaN 開關管。UCC27332-Q1 的典型峰值驅(qū)動強度為 9A，這有助于縮短開關管的上升和下降時間、降低開關損耗并提高效率。UCC27332-Q1 器件的短傳播延遲可改善系統(tǒng)的死區(qū)優(yōu)化、控制環(huán)路響應，提高脈寬利用率和瞬態(tài)性能，從而提高功率級效率。

UCC27332-Q1 可以在輸入端處理 –5V 的電壓，通過平緩的接地反彈提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。獨立的使能信號支持在不依賴主控制邏輯的情況下對功率級進行控制。如果在系統(tǒng)中檢測到故障，柵極驅(qū)動器可以快速關斷功率級（需要關斷動力總成）。使能功能還可提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。許多高頻開關電源在電源器件的柵極都存在高頻噪音，這種噪音會進入柵極驅(qū)動器的輸出引腳，造成驅(qū)動器故障。UCC27332-Q1 具有瞬態(tài)反向電流和反向電壓功能，因此在上述情況下具有優(yōu)異的性能。

如果 VDD 電壓低于指定的上電復位閾值，強大的內(nèi)部下拉 MOSFET 可使輸出保持低電平。此有源下拉特性可進一步改善系統(tǒng)穩(wěn)健性。小型 3mm × 3mm MSOP 封裝可優(yōu)化柵極驅(qū)動器放置并改進布局。這種小型封裝還可優(yōu)化柵極驅(qū)動器放置并改進布局。
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* 數(shù)據(jù)表 UCC27332-Q1 具有 –5V 輸入能力、適用于汽車應用的 20V、9A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2022年 4月 7日
證書 UCC27332Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 5月 3日
應用簡報 How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs 2019年 1月 18日

設計和開發(fā)

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評估板

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評估板

UCC27332Q1EVM — UCC27332-Q1 具有使能功能的單通道 18V、9A 高速低側(cè) MOSFET 驅(qū)動器評估模塊

UCC27332-Q1 評估模塊主要用于評估 UCC27332-Q1 的性能。此驅(qū)動器是一款 20V VDD 低側(cè)驅(qū)動器，具有 9A 峰值拉電流和 9A 峰值灌電流，用于驅(qū)動 N 溝道 MOSFET。該評估板還可用于評估支持的封裝中的其他引腳對引腳兼容器件。

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模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環(huán)境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

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參考設計

PMP41078 — 采用 GaN HEMT 的高壓轉(zhuǎn)低壓直流/直流轉(zhuǎn)換器參考設計

此參考設計介紹了一款采用 650V 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)的 3.5kW 高壓轉(zhuǎn)低壓直流/直流轉(zhuǎn)換器。采用 LMG3522R030 作為初級開關可使該轉(zhuǎn)換器在高開關頻率下工作。在此設計中，轉(zhuǎn)換器使用了尺寸更小的變壓器。為了輕松滿足有源鉗位金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的熱性能要求，轉(zhuǎn)換器使用了雙通道有源鉗位電路。
測試報告: PDF
參考設計

PMP41139 — 3.5kW，800V 至 14V DC/DC 轉(zhuǎn)換器參考設計

此參考設計介紹了一款采用 650V 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的 3.5kW 800V 至 14V 直流/直流轉(zhuǎn)換器。該轉(zhuǎn)換器使用堆疊半橋 (SHB) 拓撲，能夠使用 650V GaN HEMT 在 800V 下工作。采用 LMG3522R030 作為初級開關可使該轉(zhuǎn)換器在高開關頻率下工作。在此設計中，轉(zhuǎn)換器使用了尺寸較小的變壓器。為了輕松滿足有源鉗位金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的熱性能要求，轉(zhuǎn)換器使用了雙通道有源鉗位電路。
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian

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包含信息：
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  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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