主頁(yè) 電源管理 柵極驅(qū)動(dòng)器 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器

UCC27332-Q1

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Automotive 20V VDD, 9A/9A single-channel driver and enable

產(chǎn)品詳情

Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (μs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
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HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm2 3 x 4.9
  • 符合汽車(chē)應(yīng)用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性:
    • 器件溫度等級(jí) 1:–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類(lèi)等級(jí) H2
    • 器件 CDM ESD 分類(lèi)等級(jí) C4B
  • 業(yè)界通用引腳排列
  • 典型的 9A 灌電流、9A 拉電流輸出
  • 輸入引腳可承受高達(dá) -5V 的電壓
  • 絕對(duì)最大 VDD 電壓:20V
  • 寬 VDD 工作范圍為 4.5V 至 18V
  • 采用 3mm x 3mm MSOP8 封裝
  • 典型值為 25ns 的傳播延遲
  • TTL 兼容輸入閾值
  • 工作結(jié)溫范圍:–40°C 至 125°C
  • 符合汽車(chē)應(yīng)用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性:
    • 器件溫度等級(jí) 1:–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類(lèi)等級(jí) H2
    • 器件 CDM ESD 分類(lèi)等級(jí) C4B
  • 業(yè)界通用引腳排列
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  • 輸入引腳可承受高達(dá) -5V 的電壓
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  • 寬 VDD 工作范圍為 4.5V 至 18V
  • 采用 3mm x 3mm MSOP8 封裝
  • 典型值為 25ns 的傳播延遲
  • TTL 兼容輸入閾值
  • 工作結(jié)溫范圍:–40°C 至 125°C

UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠有效地驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 開(kāi)關(guān)管。UCC27332-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 9A,這有助于縮短開(kāi)關(guān)管的上升和下降時(shí)間、降低開(kāi)關(guān)損耗并提高效率。UCC27332-Q1 器件的短傳播延遲可改善系統(tǒng)的死區(qū)優(yōu)化、控制環(huán)路響應(yīng),提高脈寬利用率和瞬態(tài)性能,從而提高功率級(jí)效率。

UCC27332-Q1 可以在輸入端處理 –5V 的電壓,通過(guò)平緩的接地反彈提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。獨(dú)立的使能信號(hào)支持在不依賴(lài)主控制邏輯的情況下對(duì)功率級(jí)進(jìn)行控制。如果在系統(tǒng)中檢測(cè)到故障,柵極驅(qū)動(dòng)器可以快速關(guān)斷功率級(jí)(需要關(guān)斷動(dòng)力總成)。使能功能還可提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。許多高頻開(kāi)關(guān)電源在電源器件的柵極都存在高頻噪音,這種噪音會(huì)進(jìn)入柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出引腳,造成驅(qū)動(dòng)器故障。UCC27332-Q1 具有瞬態(tài)反向電流和反向電壓功能,因此在上述情況下具有優(yōu)異的性能。

如果 VDD 電壓低于指定的上電復(fù)位閾值,強(qiáng)大的內(nèi)部下拉 MOSFET 可使輸出保持低電平。此有源下拉特性可進(jìn)一步改善系統(tǒng)穩(wěn)健性。小型 3mm × 3mm MSOP 封裝可優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器放置并改進(jìn)布局。這種小型封裝還可優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器放置并改進(jìn)布局。

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UCC27332-Q1 可以在輸入端處理 –5V 的電壓,通過(guò)平緩的接地反彈提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。獨(dú)立的使能信號(hào)支持在不依賴(lài)主控制邏輯的情況下對(duì)功率級(jí)進(jìn)行控制。如果在系統(tǒng)中檢測(cè)到故障,柵極驅(qū)動(dòng)器可以快速關(guān)斷功率級(jí)(需要關(guān)斷動(dòng)力總成)。使能功能還可提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。許多高頻開(kāi)關(guān)電源在電源器件的柵極都存在高頻噪音,這種噪音會(huì)進(jìn)入柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出引腳,造成驅(qū)動(dòng)器故障。UCC27332-Q1 具有瞬態(tài)反向電流和反向電壓功能,因此在上述情況下具有優(yōu)異的性能。

如果 VDD 電壓低于指定的上電復(fù)位閾值,強(qiáng)大的內(nèi)部下拉 MOSFET 可使輸出保持低電平。此有源下拉特性可進(jìn)一步改善系統(tǒng)穩(wěn)健性。小型 3mm × 3mm MSOP 封裝可優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器放置并改進(jìn)布局。這種小型封裝還可優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器放置并改進(jìn)布局。

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設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)

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評(píng)估板

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評(píng)估板

UCC27332Q1EVM — UCC27332-Q1 具有使能功能的單通道 18V、9A 高速低側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊

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模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具

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借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫(kù),您可對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案,然后再進(jìn)行布局和制造,可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并降低開(kāi)發(fā)成本。?

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測(cè)試報(bào)告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian

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包含信息:
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  • 引腳鍍層/焊球材料
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包含信息:
  • 制造廠地點(diǎn)
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