封裝信息
| 封裝 | 引腳 SOIC (DW) | 16 |
| 工作溫度范圍 (°C) -40 to 125 |
| 包裝數量 | 包裝 40 | TUBE |
UCC21732-Q1 的特性
- 5.7kVRMS 單通道隔離式柵極驅動器
- 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
- 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級 3A
- 器件 CDM ESD 分類等級 C3
- 高達 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-VEE)
- ±10A 驅動強度和分離輸出
- 150V/ns 最小 CMTI
- 具有 270ns 快速響應時間的過流保護
- 外部有源米勒鉗位
- 發生故障時的內部 2 級關斷
- 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
- 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管的溫度感應
- 高電壓直流鏈路或相電壓
- 過流警報 FLT 和通過 RST/EN 重置
- 針對 RST/EN 的快速啟用/禁用響應
- 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態和脈沖
- RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
- 具有高達 5V 的過沖/欠沖瞬態電壓抗擾度的輸入/輸出
- 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
- SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
- 工作結溫范圍：-40°C 至 +150°C
- 安全相關認證：
- 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 要求的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增強型隔離
- 5700VRMS 隔離，符合 UL1577 標準且持續時長為 1 分鐘
UCC21732-Q1 的說明
UCC21732-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅動器，旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 2121V（直流），具有先進的保護特性、出色的動態性能和穩健性。UCC21732-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。
輸入側通過 SiO2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 的浪涌抗擾度，隔離柵壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏斜，共模噪聲抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。
UCC21732-Q1 包括先進的保護特性，如快速過流和短路檢測、分流電流檢測支持、故障報告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側電源 UVLO（用于優化 SiC 和 IGBT 開關行為）和穩健性。可以利用隔離式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進行溫度或電壓感測，從而進一步提高驅動器的多功能性并簡化系統設計工作量、尺寸和成本。