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UCC21320-Q1

正在供貨

具有可編程死區時間且采用 DWK 封裝的汽車類 3.75kVrms、4A/6A 雙通道隔離式柵極驅動器

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UCC21550-Q1 正在供貨 適用于 IGBT 且具有 DIS 和 DT 引腳的汽車級 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅動器 Next gen P2P refresh

產品詳情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5303, 6250 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (μs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 19 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5303, 6250 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (μs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 19 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
SOIC (DWK) 14 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
  • 3V 至 18V 輸入 VCCI 范圍，可與數字控制器和模擬控制器連接
  • 高達 25V 的 VDD 輸出驅動電源
  • 開關參數：
    • 33ns 典型傳播延遲
    • 20ns 最小脈沖寬度
    • 6ns 最大脈寬失真
  • 共模瞬態抗擾度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 通用：雙通道低側、雙通道高側或半橋驅動器
  • 可通過編程的重疊和死區時間
  • 寬體 SOIC-14 (DWK) 封裝
    • 驅動器通道之間具有 3.3mm 的間距
  • 結溫范圍：–40°C 至 +150°C
  • TTL 和 CMOS 兼容輸入
  • 可針對電源時序快速禁用
  • 符合汽車應用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性
    • 器件溫度 1 級
  • 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
  • 3V 至 18V 輸入 VCCI 范圍，可與數字控制器和模擬控制器連接
  • 高達 25V 的 VDD 輸出驅動電源
  • 開關參數：
    • 33ns 典型傳播延遲
    • 20ns 最小脈沖寬度
    • 6ns 最大脈寬失真
  • 共模瞬態抗擾度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 通用：雙通道低側、雙通道高側或半橋驅動器
  • 可通過編程的重疊和死區時間
  • 寬體 SOIC-14 (DWK) 封裝
    • 驅動器通道之間具有 3.3mm 的間距
  • 結溫范圍：–40°C 至 +150°C
  • TTL 和 CMOS 兼容輸入
  • 可針對電源時序快速禁用
  • 符合汽車應用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性
    • 器件溫度 1 級

UCC21320-Q1 是隔離式雙通道柵極驅動器，具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。該驅動器可用于驅動高達 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。

輸入側通過一個 3.75kVRMS 基本隔離柵與兩個輸出驅動器相隔離，其共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 125V/ns。兩個二次側驅動器之間采用內部功能隔離，支持高達 1500VDC 的工作電壓。

每個驅動器可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個死區時間 (DT) 可編程的半橋驅動器。禁用引腳可同時關斷兩個輸出，在保持開路或接地時允許器件正常運行。作為一種失效防護機制，初級側邏輯故障會強制兩個輸出為低電平。

各個器件接受的 VDD 電源電壓高達 25V。憑借 3V 至 18V 寬輸入 VCCI 電壓范圍，該驅動器適用于連接模擬和數字控制器。所有電源電壓引腳都具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能。

憑借所有這些高級特性，UCC21320-Q1 可實現高效率、高功率密度和穩健性。

UCC21320-Q1 是隔離式雙通道柵極驅動器，具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。該驅動器可用于驅動高達 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。

輸入側通過一個 3.75kVRMS 基本隔離柵與兩個輸出驅動器相隔離，其共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 125V/ns。兩個二次側驅動器之間采用內部功能隔離，支持高達 1500VDC 的工作電壓。

每個驅動器可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個死區時間 (DT) 可編程的半橋驅動器。禁用引腳可同時關斷兩個輸出，在保持開路或接地時允許器件正常運行。作為一種失效防護機制，初級側邏輯故障會強制兩個輸出為低電平。

各個器件接受的 VDD 電源電壓高達 25V。憑借 3V 至 18V 寬輸入 VCCI 電壓范圍，該驅動器適用于連接模擬和數字控制器。所有電源電壓引腳都具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能。

憑借所有這些高級特性，UCC21320-Q1 可實現高效率、高功率密度和穩健性。
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* 數據表 UCC21320 -Q1 4A、6A、3.75kVRMS 汽車級隔離式 雙通道柵極驅動器 數據表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 10月 16日
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  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
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  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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