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UCC21220A

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適用于 MOSFET 和 GaNFET 的具有禁用引腳和 5V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 雙通道隔離式柵極驅動器

產品詳情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable Output VCC/VDD (min) (V) 6 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable Output VCC/VDD (min) (V) 6 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5
SOIC (D) 16 59.4 mm2 9.9 x 6
  • 通用：雙通道低側、雙通道高側或半橋驅動器
  • 支持基本隔離和功能隔離
  • CMTI 大于 125V/ns
  • 高達 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
  • 開關參數：
    • 33ns 典型傳播延遲
    • 5ns 最大脈寬失真
    • 10μs 最大 VDD 上電延遲
  • 高達 25V 的 VDD 輸出驅動電源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 選項
  • 結溫范圍 (Tj) –40°C 至 150°C
  • 窄體 SOIC-16 (D) 封裝
  • TTL 和 CMOS 兼容輸入
  • 安全相關認證：
    • 4242VPK 隔離，符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準（計劃）
    • 符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 3000VRMS 隔離（計劃）
    • 符合 GB4943.1-2022 標準的 CQC 認證（計劃）
  • 通用：雙通道低側、雙通道高側或半橋驅動器
  • 支持基本隔離和功能隔離
  • CMTI 大于 125V/ns
  • 高達 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
  • 開關參數：
    • 33ns 典型傳播延遲
    • 5ns 最大脈寬失真
    • 10μs 最大 VDD 上電延遲
  • 高達 25V 的 VDD 輸出驅動電源
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  • 窄體 SOIC-16 (D) 封裝
  • TTL 和 CMOS 兼容輸入
  • 安全相關認證：
    • 4242VPK 隔離，符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準（計劃）
    • 符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 3000VRMS 隔離（計劃）
    • 符合 GB4943.1-2022 標準的 CQC 認證（計劃）

UCC21220 和 UCC21220A 器件是具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流的基本隔離式和功能隔離式雙通道柵極驅動器。它們設計用于在 PFC、隔離式直流/直流和同步整流應用中驅動功率 MOSFET 和 GaNFET，借助超過 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)，可實現快速開關性能和穩健的接地反彈保護。

這些器件可以配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或半橋驅動器。可以將兩個輸出并聯，以形成單個驅動器，由于具有一流的延遲匹配性能，因此可以在重負載條件下使驅動強度加倍。

保護特性包括以下幾項：DIS 引腳設置為高電平時會同時關斷兩個輸出，所有電源都具有欠壓鎖定 (UVLO) 功能，有源下拉保護功能會在未上電或懸空時將輸出電壓箝位在 2V 以下。

憑借這些特性，這些器件可以在各種電源應用中實現高效率、高功率密度和穩健性。

UCC21220 和 UCC21220A 器件是具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流的基本隔離式和功能隔離式雙通道柵極驅動器。它們設計用于在 PFC、隔離式直流/直流和同步整流應用中驅動功率 MOSFET 和 GaNFET，借助超過 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)，可實現快速開關性能和穩健的接地反彈保護。

這些器件可以配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或半橋驅動器。可以將兩個輸出并聯，以形成單個驅動器，由于具有一流的延遲匹配性能，因此可以在重負載條件下使驅動強度加倍。

保護特性包括以下幾項：DIS 引腳設置為高電平時會同時關斷兩個輸出，所有電源都具有欠壓鎖定 (UVLO) 功能，有源下拉保護功能會在未上電或懸空時將輸出電壓箝位在 2V 以下。

憑借這些特性，這些器件可以在各種電源應用中實現高效率、高功率密度和穩健性。
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設計和開發

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評估板

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仿真模型

UCC21220AD PSpice Transient Model

SLUM649.ZIP (58 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC21220AD Unencrypted PSpice Transient Model

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PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

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參考設計

PMP30446 — 采用標準 Si-MOSFET 的 99% 峰值效率、585W 高壓降壓參考設計

此參考設計將 450V 至 780V 的直流輸入源轉換為 1.5A、390V 非隔離式輸出。由于其實際功率級僅使用標準的器件組件，該參考設計是 SiC FET 和 SiC 二極管降壓轉換器的替代解決方案。為了使用額定值為 600V 的器件，將輸入源拆分，從而允許兩個相同的降壓級共用中心點。單個耦合電感 (1:1) 可自動平衡中心點。如果兩個 FET 出現電壓不均衡，或其柵極驅動延遲時間略有差異，兩個小型串聯電感器可限制每個分支的電流。在 CRM 模式（臨界導通模式）下，該轉換器可最大程度地降低開關損耗，從而在 450V 輸入電壓和滿載條件下實現 99% 的峰值效率。
測試報告: PDF
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測試報告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 16 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
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  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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