產品詳情

Bits (#) 3 Data rate (max) (Mbps) 50 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.65 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Single LDO Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 3 Data rate (max) (Mbps) 50 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.65 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Single LDO Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
UQFN (RUT) 12 3.4 mm2 2 x 1.7 VQFN (RGT) 16 9 mm2 3 x 3
  • 電平轉換器
    • 1.65V 至 3.3V 的 VCC范圍
    • 2.3 至 5.5V 的 VBATT范圍
  • 低壓降 (LDO) 穩壓器
    • 帶有使能的 50mA LDO 穩壓器
    • 1.8V 至 2.95V 可選輸出電壓
    • 2.3V 至 5.5V 輸入電壓范圍
    • 極低壓降：電流為 50mA 時為 100mV（最大值）
  • 為 SIM 卡信號整合了關斷特性，符合 ISO-7816-3 標準
  • 靜電放電 (ESD) 保護性能超過 JESD 22 規范要求
    • 2000V 人體模型 (A114-A)
    • 500V 充電器件模型 (C101)
    • 針對 SIM 引腳的 8kV
  • 封裝
    • 16 引腳四方扁平無引線封裝 (QFN) (3mm x 3mm)
    • 12 引腳四方扁平無引線封裝 (QFN) (2mm x 1.7mm)
  • 電平轉換器
    • 1.65V 至 3.3V 的 VCC范圍
    • 2.3 至 5.5V 的 VBATT范圍
  • 低壓降 (LDO) 穩壓器
    • 帶有使能的 50mA LDO 穩壓器
    • 1.8V 至 2.95V 可選輸出電壓
    • 2.3V 至 5.5V 輸入電壓范圍
    • 極低壓降：電流為 50mA 時為 100mV（最大值）
  • 為 SIM 卡信號整合了關斷特性，符合 ISO-7816-3 標準
  • 靜電放電 (ESD) 保護性能超過 JESD 22 規范要求
    • 2000V 人體模型 (A114-A)
    • 500V 充電器件模型 (C101)
    • 針對 SIM 引腳的 8kV
  • 封裝
    • 16 引腳四方扁平無引線封裝 (QFN) (3mm x 3mm)
    • 12 引腳四方扁平無引線封裝 (QFN) (2mm x 1.7mm)

TXS4555 是一款完整的智能身份模塊 (SIM) 卡解決方案，可用來將無線基帶處理器與 SIM 卡對接，從而可為移動手持終端應用存儲 I/O 數據。 該器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求，而且還支持 GSM 與 3G 移動標準。 它包含能夠支持 B 類 (2.95V) 與 C 類 (1.8V) 接口的高速電平轉換器，一個低壓降 (LDO) 穩壓器，此穩壓器具有可在 2.95V B 類與 1.8V C 類接口之間選擇的輸出電壓。

請注意：裸露的中心散熱焊盤必須連接至接地。

該器件具有兩組電源電壓引腳。 VCC 支持 1.65V 至 3.3V 的整個電壓范圍，而 VBATT則支持 2.3 至 5.5V 間的電壓。VPWR 可設置為 1.8V 或 2.95V，并由內部 LDO 供電。 集成型 LDO 可接受高達 5.5V 的輸入電壓，并可在 50mA 電流下向 B 端電路系統及外部 SIM 卡輸出 1.8V 或 2.95V 的電壓。 TXS4555 可幫助系統設計人員輕松將低電壓微處理器連接至工作電壓為 1.8V 或 2.95V 的 SIM 卡。

此外，TXS4555 還根據針對 SIM 卡的 ISO 7816-3 技術規范為 SIM 卡引腳整合了關斷定序功能。 SIM 卡信號的適當關斷可在電話意外關機時保護數據免受損壞。 該器件不但可為 SIM 引腳提供 8kV HBM 保護，而且還可為所有其它引腳提供標準 2kV HBM 保護。

TXS4555 是一款完整的智能身份模塊 (SIM) 卡解決方案，可用來將無線基帶處理器與 SIM 卡對接，從而可為移動手持終端應用存儲 I/O 數據。 該器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求，而且還支持 GSM 與 3G 移動標準。 它包含能夠支持 B 類 (2.95V) 與 C 類 (1.8V) 接口的高速電平轉換器，一個低壓降 (LDO) 穩壓器，此穩壓器具有可在 2.95V B 類與 1.8V C 類接口之間選擇的輸出電壓。

請注意：裸露的中心散熱焊盤必須連接至接地。

該器件具有兩組電源電壓引腳。 VCC 支持 1.65V 至 3.3V 的整個電壓范圍，而 VBATT則支持 2.3 至 5.5V 間的電壓。VPWR 可設置為 1.8V 或 2.95V，并由內部 LDO 供電。 集成型 LDO 可接受高達 5.5V 的輸入電壓，并可在 50mA 電流下向 B 端電路系統及外部 SIM 卡輸出 1.8V 或 2.95V 的電壓。 TXS4555 可幫助系統設計人員輕松將低電壓微處理器連接至工作電壓為 1.8V 或 2.95V 的 SIM 卡。

此外，TXS4555 還根據針對 SIM 卡的 ISO 7816-3 技術規范為 SIM 卡引腳整合了關斷定序功能。 SIM 卡信號的適當關斷可在電話意外關機時保護數據免受損壞。 該器件不但可為 SIM 引腳提供 8kV HBM 保護，而且還可為所有其它引腳提供標準 2kV HBM 保護。
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設計和開發

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仿真模型

TXS4555 IBIS Model

SBOM452.ZIP (47 KB) - IBIS Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
UQFN (RUT) 12 Ultra Librarian
VQFN (RGT) 16 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

支持和培訓

視頻