TXS4555

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具有電平轉(zhuǎn)換器的 SIM 卡電源

產(chǎn)品詳情

Bits (#) 3 Data rate (max) (Mbps) 50 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.65 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Single LDO Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 3 Data rate (max) (Mbps) 50 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.65 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Single LDO Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
UQFN (RUT) 12 3.4 mm2 2 x 1.7 VQFN (RGT) 16 9 mm2 3 x 3
  • 電平轉(zhuǎn)換器
    • 1.65V 至 3.3V 的 VCC范圍
    • 2.3 至 5.5V 的 VBATT范圍
  • 低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器
    • 帶有使能的 50mA LDO 穩(wěn)壓器
    • 1.8V 至 2.95V 可選輸出電壓
    • 2.3V 至 5.5V 輸入電壓范圍
    • 極低壓降：電流為 50mA 時(shí)為 100mV（最大值）
  • 為 SIM 卡信號(hào)整合了關(guān)斷特性，符合 ISO-7816-3 標(biāo)準(zhǔn)
  • 靜電放電 (ESD) 保護(hù)性能超過 JESD 22 規(guī)范要求
    • 2000V 人體模型 (A114-A)
    • 500V 充電器件模型 (C101)
    • 針對(duì) SIM 引腳的 8kV
  • 封裝
    • 16 引腳四方扁平無(wú)引線封裝 (QFN) (3mm x 3mm)
    • 12 引腳四方扁平無(wú)引線封裝 (QFN) (2mm x 1.7mm)
  • 電平轉(zhuǎn)換器
    • 1.65V 至 3.3V 的 VCC范圍
    • 2.3 至 5.5V 的 VBATT范圍
  • 低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器
    • 帶有使能的 50mA LDO 穩(wěn)壓器
    • 1.8V 至 2.95V 可選輸出電壓
    • 2.3V 至 5.5V 輸入電壓范圍
    • 極低壓降：電流為 50mA 時(shí)為 100mV（最大值）
  • 為 SIM 卡信號(hào)整合了關(guān)斷特性，符合 ISO-7816-3 標(biāo)準(zhǔn)
  • 靜電放電 (ESD) 保護(hù)性能超過 JESD 22 規(guī)范要求
    • 2000V 人體模型 (A114-A)
    • 500V 充電器件模型 (C101)
    • 針對(duì) SIM 引腳的 8kV
  • 封裝
    • 16 引腳四方扁平無(wú)引線封裝 (QFN) (3mm x 3mm)
    • 12 引腳四方扁平無(wú)引線封裝 (QFN) (2mm x 1.7mm)

TXS4555 是一款完整的智能身份模塊 (SIM) 卡解決方案，可用來(lái)將無(wú)線基帶處理器與 SIM 卡對(duì)接，從而可為移動(dòng)手持終端應(yīng)用存儲(chǔ) I/O 數(shù)據(jù)。 該器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求，而且還支持 GSM 與 3G 移動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)。 它包含能夠支持 B 類 (2.95V) 與 C 類 (1.8V) 接口的高速電平轉(zhuǎn)換器，一個(gè)低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器，此穩(wěn)壓器具有可在 2.95V B 類與 1.8V C 類接口之間選擇的輸出電壓。

請(qǐng)注意：裸露的中心散熱焊盤必須連接至接地。

該器件具有兩組電源電壓引腳。 VCC 支持 1.65V 至 3.3V 的整個(gè)電壓范圍，而 VBATT則支持 2.3 至 5.5V 間的電壓。VPWR 可設(shè)置為 1.8V 或 2.95V，并由內(nèi)部 LDO 供電。 集成型 LDO 可接受高達(dá) 5.5V 的輸入電壓，并可在 50mA 電流下向 B 端電路系統(tǒng)及外部 SIM 卡輸出 1.8V 或 2.95V 的電壓。 TXS4555 可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員輕松將低電壓微處理器連接至工作電壓為 1.8V 或 2.95V 的 SIM 卡。

此外，TXS4555 還根據(jù)針對(duì) SIM 卡的 ISO 7816-3 技術(shù)規(guī)范為 SIM 卡引腳整合了關(guān)斷定序功能。 SIM 卡信號(hào)的適當(dāng)關(guān)斷可在電話意外關(guān)機(jī)時(shí)保護(hù)數(shù)據(jù)免受損壞。 該器件不但可為 SIM 引腳提供 8kV HBM 保護(hù)，而且還可為所有其它引腳提供標(biāo)準(zhǔn) 2kV HBM 保護(hù)。

TXS4555 是一款完整的智能身份模塊 (SIM) 卡解決方案，可用來(lái)將無(wú)線基帶處理器與 SIM 卡對(duì)接，從而可為移動(dòng)手持終端應(yīng)用存儲(chǔ) I/O 數(shù)據(jù)。 該器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求，而且還支持 GSM 與 3G 移動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)。 它包含能夠支持 B 類 (2.95V) 與 C 類 (1.8V) 接口的高速電平轉(zhuǎn)換器，一個(gè)低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器，此穩(wěn)壓器具有可在 2.95V B 類與 1.8V C 類接口之間選擇的輸出電壓。

請(qǐng)注意：裸露的中心散熱焊盤必須連接至接地。

該器件具有兩組電源電壓引腳。 VCC 支持 1.65V 至 3.3V 的整個(gè)電壓范圍，而 VBATT則支持 2.3 至 5.5V 間的電壓。VPWR 可設(shè)置為 1.8V 或 2.95V，并由內(nèi)部 LDO 供電。 集成型 LDO 可接受高達(dá) 5.5V 的輸入電壓，并可在 50mA 電流下向 B 端電路系統(tǒng)及外部 SIM 卡輸出 1.8V 或 2.95V 的電壓。 TXS4555 可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員輕松將低電壓微處理器連接至工作電壓為 1.8V 或 2.95V 的 SIM 卡。

此外，TXS4555 還根據(jù)針對(duì) SIM 卡的 ISO 7816-3 技術(shù)規(guī)范為 SIM 卡引腳整合了關(guān)斷定序功能。 SIM 卡信號(hào)的適當(dāng)關(guān)斷可在電話意外關(guān)機(jī)時(shí)保護(hù)數(shù)據(jù)免受損壞。 該器件不但可為 SIM 引腳提供 8kV HBM 保護(hù)，而且還可為所有其它引腳提供標(biāo)準(zhǔn) 2kV HBM 保護(hù)。
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設(shè)計(jì)和開發(fā)

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仿真模型

TXS4555 IBIS Model

SBOM452.ZIP (47 KB) - IBIS Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
UQFN (RUT) 12 Ultra Librarian
VQFN (RGT) 16 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

支持和培訓(xùn)

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