TXS02326A

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具有自動檢測和插槽專用雙路 LDO 的雙電源 2:1 SIM 卡多路復用器/轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品詳情

Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 120 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.7 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 0.74 Vout (max) (V) 3.6 Applications SIM Card Features Dual LDO, Edge rate accelerator Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 120 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.7 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 0.74 Vout (max) (V) 3.6 Applications SIM Card Features Dual LDO, Edge rate accelerator Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
VQFN (RGE) 24 16 mm2 4 x 4
  • 電平轉(zhuǎn)換器
    • VDDIO 范圍介于 1.7V 至 3.3V 之間
  • 低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器
    • 帶有使能的 50mA LDO 穩(wěn)壓器
    • 1.8V 至 2.95V 可選輸出電壓
    • 2.3V 至 5.5V 輸入電壓范圍
    • 極低壓降：電流為 50mA 時為 100mV（最大值）
  • 通過配有基帶處理器的 I2C 接口實現(xiàn)控制和通信
  • 靜電放電 (ESD) 保護性能超過 JESD 22 規(guī)范要求
    • 2500V 人體模型 (A114-B)
    • VSIM1，SIM1CLK，SIM1I/O，SIM1RST，VSIM2，SIM2CLK，SIM2I/O，SIM2RST 上的 6000V 人體模型 (A114-B)
    • 1000V 充電器件模型 (C101)
  • 封裝
    • 24 引腳四方扁平無引線封裝 (QFN) (4mm x 4mm)
  • 電平轉(zhuǎn)換器
    • VDDIO 范圍介于 1.7V 至 3.3V 之間
  • 低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器
    • 帶有使能的 50mA LDO 穩(wěn)壓器
    • 1.8V 至 2.95V 可選輸出電壓
    • 2.3V 至 5.5V 輸入電壓范圍
    • 極低壓降：電流為 50mA 時為 100mV（最大值）
  • 通過配有基帶處理器的 I2C 接口實現(xiàn)控制和通信
  • 靜電放電 (ESD) 保護性能超過 JESD 22 規(guī)范要求
    • 2500V 人體模型 (A114-B)
    • VSIM1，SIM1CLK，SIM1I/O，SIM1RST，VSIM2，SIM2CLK，SIM2I/O，SIM2RST 上的 6000V 人體模型 (A114-B)
    • 1000V 充電器件模型 (C101)
  • 封裝
    • 24 引腳四方扁平無引線封裝 (QFN) (4mm x 4mm)

TXS02326A 是一款完全雙電源待機智能身份模塊 (SIM) 卡解決方案，此解決方案用于將無線基帶處理器與兩個單獨的 SIM 用戶卡接口相連，以存儲移動手機應用程序的數(shù)據(jù)。 它是一個用于將一個單一 SIM/UICC 接口拓展成為支持兩個 SIM/UICC 接口的定制器件。

該器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求，而且還支持 GSM 與 3G 移動標準。 它包括一個能夠支持 B 類 (2.95V) 和 C 類 (1.8V) 接口的高速電平轉(zhuǎn)換器；兩個具有可在 2.95V B 類和 1.8V C 類接口之間選擇輸出電壓的低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器；一個用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “從” I2C 控制寄存器接口；和一個用于內(nèi)部定時生成的 32kHz 時鐘輸入。 為了對兩個 SIM 卡安全斷電，TXS02326A 還包括一個關斷輸入和一個可檢測電池組取出的比較器輸入。 關斷輸入和比較器輸入裝有兩個由一個 8 位計數(shù)器實現(xiàn)的可編程防反跳計數(shù)器（即電池拆除關斷保護引腳 (BSI) 輸入和備用 SIM 卡熱交換引腳 (SDN) 輸入）電路。

電壓電平轉(zhuǎn)換器具有兩個電源電壓引腳。 VDDIO 設定針對基帶接口的基準并可在 1.7V 至 3.3V 的電壓下運行。 VSIM1 和 VSIM2 的電壓可被設定為 1.8V 或者 2.95V，均由一個獨立內(nèi)部 LDO 穩(wěn)壓器供電。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的輸入電池電壓，并向 B 側(cè)電路及外部 B 類或 C 類 SIM 卡輸出高達 50mA 的電流。

TXS02326A 是一款完全雙電源待機智能身份模塊 (SIM) 卡解決方案，此解決方案用于將無線基帶處理器與兩個單獨的 SIM 用戶卡接口相連，以存儲移動手機應用程序的數(shù)據(jù)。 它是一個用于將一個單一 SIM/UICC 接口拓展成為支持兩個 SIM/UICC 接口的定制器件。

該器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求，而且還支持 GSM 與 3G 移動標準。 它包括一個能夠支持 B 類 (2.95V) 和 C 類 (1.8V) 接口的高速電平轉(zhuǎn)換器；兩個具有可在 2.95V B 類和 1.8V C 類接口之間選擇輸出電壓的低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器；一個用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “從” I2C 控制寄存器接口；和一個用于內(nèi)部定時生成的 32kHz 時鐘輸入。 為了對兩個 SIM 卡安全斷電，TXS02326A 還包括一個關斷輸入和一個可檢測電池組取出的比較器輸入。 關斷輸入和比較器輸入裝有兩個由一個 8 位計數(shù)器實現(xiàn)的可編程防反跳計數(shù)器（即電池拆除關斷保護引腳 (BSI) 輸入和備用 SIM 卡熱交換引腳 (SDN) 輸入）電路。

電壓電平轉(zhuǎn)換器具有兩個電源電壓引腳。 VDDIO 設定針對基帶接口的基準并可在 1.7V 至 3.3V 的電壓下運行。 VSIM1 和 VSIM2 的電壓可被設定為 1.8V 或者 2.95V，均由一個獨立內(nèi)部 LDO 穩(wěn)壓器供電。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的輸入電池電壓，并向 B 側(cè)電路及外部 B 類或 C 類 SIM 卡輸出高達 50mA 的電流。
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* 數(shù)據(jù)表 具有自動檢測和插槽專用雙通道低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 的雙電源 2:1 SIM 卡復用器/轉(zhuǎn)換器, TXS02326A 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2013年 9月 5日
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設計和開發(fā)

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仿真模型

TXS02326A IBIS Model

SCEM552.ZIP (144 KB) - IBIS Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (RGE) 24 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

支持和培訓

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