產品詳情

Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 10 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.7 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.36 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Dual LDO, Edge rate accelerator Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 10 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.7 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.36 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Dual LDO, Edge rate accelerator Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
WQFN (RUK) 20 9 mm2 3 x 3
  • 平轉換器
    • VDDIO 范圍： 1.7V 至 3.3V
  • 低壓降 (LDO) 穩壓器
    • 帶啟用功能的 50mA LDO 穩壓器
    • 1.8V 或 2.95V 可選輸出電壓
    • 2.3V 至 5.5V 輸入電壓范圍
    • 超低壓降： 在 50mA 電流條件下為 100mV （最大值）
  • 通過 I2C 接口和基帶處理器實現控制和通信
  • ESD 保護等級超過了 JESD 22 規格的要求
    • 2000V 人體模型 (A114-B)
    • 1000V 充電器件模型 (C101)
  • 封裝
    • 20 引腳 QFN (3mm x 3mm)
  • 平轉換器
    • VDDIO 范圍： 1.7V 至 3.3V
  • 低壓降 (LDO) 穩壓器
    • 帶啟用功能的 50mA LDO 穩壓器
    • 1.8V 或 2.95V 可選輸出電壓
    • 2.3V 至 5.5V 輸入電壓范圍
    • 超低壓降： 在 50mA 電流條件下為 100mV （最大值）
  • 通過 I2C 接口和基帶處理器實現控制和通信
  • ESD 保護等級超過了 JESD 22 規格的要求
    • 2000V 人體模型 (A114-B)
    • 1000V 充電器件模型 (C101)
  • 封裝
    • 20 引腳 QFN (3mm x 3mm)

TXS02324 是一款完整的雙電源待機智能身份模塊 (SIM) 卡解決方案，用于將無線基帶處理器與兩個單獨的 SIM 用戶卡相連，以存儲移動手機應用程序的數據。 這是一款定制器件，用于把單個 SIM/UICC 接口擴展至能夠支持兩個 SIM/UICC （通用集成芯片卡）。

該器件遵循 ISO / IEC 智能卡接口要求以及 GSM 和 3G 移動標準。 它包括一個能夠支持 Class B (2.95V) 和 Class C (1.8V) 接口的高速電平轉換器、兩個具有可在 2.95V Class B 和 1.8V Class C 接口之間選擇的輸出電壓的低壓降 (LDO) 穩壓器、一個用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “從” I2C 控制寄存器接口、一個用于內部定時發生的 32kHz 時鐘輸入。

電壓電平轉換器具有兩個電源電壓引腳。 VDDIO 引腳負責設定用于基帶接口的基準，并可采用 1.7V 至 3.3V 的工作電壓。 VSIM1 和 VSIM2 被設置為 1.8V 或 2.95V，各由一個獨立的內部 LDO 穩壓器供電。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的輸入電池電壓，并向B側電路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡輸出高達 50mA 的電流。

TXS02324 是一款完整的雙電源待機智能身份模塊 (SIM) 卡解決方案，用于將無線基帶處理器與兩個單獨的 SIM 用戶卡相連，以存儲移動手機應用程序的數據。 這是一款定制器件，用于把單個 SIM/UICC 接口擴展至能夠支持兩個 SIM/UICC （通用集成芯片卡）。

該器件遵循 ISO / IEC 智能卡接口要求以及 GSM 和 3G 移動標準。 它包括一個能夠支持 Class B (2.95V) 和 Class C (1.8V) 接口的高速電平轉換器、兩個具有可在 2.95V Class B 和 1.8V Class C 接口之間選擇的輸出電壓的低壓降 (LDO) 穩壓器、一個用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “從” I2C 控制寄存器接口、一個用于內部定時發生的 32kHz 時鐘輸入。

電壓電平轉換器具有兩個電源電壓引腳。 VDDIO 引腳負責設定用于基帶接口的基準，并可采用 1.7V 至 3.3V 的工作電壓。 VSIM1 和 VSIM2 被設置為 1.8V 或 2.95V，各由一個獨立的內部 LDO 穩壓器供電。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的輸入電池電壓，并向B側電路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡輸出高達 50mA 的電流。
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設計和開發

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WQFN (RUK) 20 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

支持和培訓

視頻