TS3A27518E-Q1

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具有 1.8V 兼容控制輸入的汽車類 3.3V、2:1 (SPDT)、6 通道模擬多路復(fù)用器

產(chǎn)品詳情

Protocols Analog Configuration 2:1 SPDT Number of channels 6 Bandwidth (MHz) 240 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 4400 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Supply current (typ) (μA) 0.001 ESD HBM (typ) (kV) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 105 ESD CDM (kV) 0.75 Input/output continuous current (max) (mA) 50 COFF (typ) (pF) 13 CON (typ) (pF) 21.5 OFF-state leakage current (max) (μA) 7 Ron (max) (mΩ) 16300 VIH (min) (V) 1 VIL (max) (V) 0.65 Rating Automotive
Protocols Analog Configuration 2:1 SPDT Number of channels 6 Bandwidth (MHz) 240 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 4400 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Supply current (typ) (μA) 0.001 ESD HBM (typ) (kV) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 105 ESD CDM (kV) 0.75 Input/output continuous current (max) (mA) 50 COFF (typ) (pF) 13 CON (typ) (pF) 21.5 OFF-state leakage current (max) (μA) 7 Ron (max) (mΩ) 16300 VIH (min) (V) 1 VIL (max) (V) 0.65 Rating Automotive
TSSOP (PW) 24 49.92 mm2 7.8 x 6.4 WQFN (RTW) 24 16 mm2 4 x 4
  • 符合汽車應(yīng)用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性:
    • 器件溫度等級(jí) 2:-40°C 至 105°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) H2
    • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C3B
  • 提供功能安全型
  • 1.65V 至 3.6V 單電源運(yùn)行
  • 關(guān)斷保護(hù)(在處于斷電模式時(shí)提供隔離,在 V+ = 0 時(shí)處于高阻抗?fàn)顟B(tài))
  • 低電容開(kāi)關(guān),21.5pF(典型值)
  • 可為高速軌到軌信號(hào)處理提供高達(dá) 240MHz 的帶寬
  • 串?dāng)_及斷開(kāi)隔離為 -62dB
  • 用于控制輸入的 1.8V 邏輯閾值兼容性
  • 可耐受 3.6V 電壓的控制輸入
  • ESD 性能:NC/NO 端口
    • ±6kV 接觸放電 (IEC 61000-4-2)
  • 24 引腳 TSSOP (7.80mm × 4.40mm) 和 24 引腳 QFN (4.00mm × 4.00mm) 封裝
  • 符合汽車應(yīng)用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性:
    • 器件溫度等級(jí) 2:-40°C 至 105°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) H2
    • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C3B
  • 提供功能安全型
  • 1.65V 至 3.6V 單電源運(yùn)行
  • 關(guān)斷保護(hù)(在處于斷電模式時(shí)提供隔離,在 V+ = 0 時(shí)處于高阻抗?fàn)顟B(tài))
  • 低電容開(kāi)關(guān),21.5pF(典型值)
  • 可為高速軌到軌信號(hào)處理提供高達(dá) 240MHz 的帶寬
  • 串?dāng)_及斷開(kāi)隔離為 -62dB
  • 用于控制輸入的 1.8V 邏輯閾值兼容性
  • 可耐受 3.6V 電壓的控制輸入
  • ESD 性能:NC/NO 端口
    • ±6kV 接觸放電 (IEC 61000-4-2)
  • 24 引腳 TSSOP (7.80mm × 4.40mm) 和 24 引腳 QFN (4.00mm × 4.00mm) 封裝

TS3A27518E-Q1 是一款 6 位、2 選 1 多路復(fù)用器/多路解復(fù)用器,其設(shè)計(jì)工作電壓為 1.65V 至 3.6V。此器件可以處理數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào),并允許向任意方向傳輸高達(dá) V+ 的信號(hào)。TS3A27518E-Q1 有兩個(gè)控制引腳,每個(gè)引腳可同時(shí)控制三個(gè) 2 選 1 復(fù)用器,并且一個(gè)使能引腳可用于將所有輸出置于高阻抗模式。這個(gè)控制引腳與 1.8V 邏輯閾值兼容并且也與 2.5V 和 3.3V 閾值向后兼容。

由于 SDIO 接口包含 6 位信號(hào),即 CMD、CLK 和 Data[0:3] 信號(hào),TS3A27518E-Q1 允許 SD、SDIO 和多媒體卡主機(jī)控制器擴(kuò)展至多個(gè)卡或者外設(shè)。TS3A27518E-Q1 有兩個(gè)控制引腳,這兩個(gè)引腳可為用戶提供附加靈活性,例如復(fù)用兩個(gè)設(shè)備中不同的音視頻信號(hào)(諸如 LCD 電視、LCD 監(jiān)視器、或者筆記本擴(kuò)展塢)的功能。

TS3A27518E-Q1 是一款 6 位、2 選 1 多路復(fù)用器/多路解復(fù)用器,其設(shè)計(jì)工作電壓為 1.65V 至 3.6V。此器件可以處理數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào),并允許向任意方向傳輸高達(dá) V+ 的信號(hào)。TS3A27518E-Q1 有兩個(gè)控制引腳,每個(gè)引腳可同時(shí)控制三個(gè) 2 選 1 復(fù)用器,并且一個(gè)使能引腳可用于將所有輸出置于高阻抗模式。這個(gè)控制引腳與 1.8V 邏輯閾值兼容并且也與 2.5V 和 3.3V 閾值向后兼容。

由于 SDIO 接口包含 6 位信號(hào),即 CMD、CLK 和 Data[0:3] 信號(hào),TS3A27518E-Q1 允許 SD、SDIO 和多媒體卡主機(jī)控制器擴(kuò)展至多個(gè)卡或者外設(shè)。TS3A27518E-Q1 有兩個(gè)控制引腳,這兩個(gè)引腳可為用戶提供附加靈活性,例如復(fù)用兩個(gè)設(shè)備中不同的音視頻信號(hào)(諸如 LCD 電視、LCD 監(jiān)視器、或者筆記本擴(kuò)展塢)的功能。

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* 數(shù)據(jù)表 TS3A27518E-Q1 具有集成 IEC L-4 ESD 及 1.8V 邏輯兼容控制輸入的6 位、2 選 1 多路復(fù)用器或多路信號(hào)分離器 數(shù)據(jù)表 (Rev. D) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.D) PDF | HTML 2022年 10月 10日
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應(yīng)用手冊(cè) Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日

設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)

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接口適配器

LEADED-ADAPTER1 — 表面貼裝轉(zhuǎn) DIP 接頭適配器,用于快速測(cè)試 TI 的 5、8、10、16 和 24 引腳引線式封裝。

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仿真模型

HSPICE Model for TS3A27518

SCDM129.ZIP (126 KB) - HSpice Model
仿真模型

TS3A27518 IBIS Model

SCDM128.ZIP (101 KB) - IBIS Model
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
TSSOP (PW) 24 Ultra Librarian
WQFN (RTW) 24 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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