TRS3232

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具有 +/-15kV ESD 保護的 3V 至 5.5V 雙通道 250kbps RS-232 線路驅動器/接收器

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TRS3232E 正在供貨 具有 +/-15kV IEC-ESD 保護的 3V 至 5.5V 雙通道 250kbps RS-232 線路驅動器/接收器 TI recommends the TRS3232E in new designs. The TRS3232E is an improved direct drop-in replacement for the TRS3232.

產品詳情

Drivers per package 2 Receivers per package 2 Logic voltage (min) (V) 3.3 Data rate (max) (Mbps) 0.25 Main supply voltage (nom) (V) 3.3, 5 ESD HBM (kV) 15 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Vout (typ) (V) 5.4
Drivers per package 2 Receivers per package 2 Logic voltage (min) (V) 3.3 Data rate (max) (Mbps) 0.25 Main supply voltage (nom) (V) 3.3, 5 ESD HBM (kV) 15 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Vout (typ) (V) 5.4
SOIC (D) 16 59.4 mm2 9.9 x 6 SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3 SSOP (DB) 16 48.36 mm2 6.2 x 7.8 TSSOP (PW) 16 32 mm2 5 x 6.4
  • RS-232 總線終端 ESD 保護大于 ±15kV 人體放電模型 (HBM)
  • 符合或超出 TIA/EIA-232-F 和 ITU V.28 標準的要求
  • 由 3V 至 5.5V VCC 電源供電
  • 運行速率高達 250kbps
  • 兩個驅動器和兩個接收器
  • 低電源電流:300μA(典型值)
  • 外部電容器:4 × 0.1μF
  • 接受 5V 邏輯輸入及 3.3V 電源
  • 備選高速端子兼容器件 (1Mbps)
    • SN65C3232(–40°C 至 85°C)
    • SN75C3232(0°C 至 70°C)
  • RS-232 總線終端 ESD 保護大于 ±15kV 人體放電模型 (HBM)
  • 符合或超出 TIA/EIA-232-F 和 ITU V.28 標準的要求
  • 由 3V 至 5.5V VCC 電源供電
  • 運行速率高達 250kbps
  • 兩個驅動器和兩個接收器
  • 低電源電流:300μA(典型值)
  • 外部電容器:4 × 0.1μF
  • 接受 5V 邏輯輸入及 3.3V 電源
  • 備選高速端子兼容器件 (1Mbps)
    • SN65C3232(–40°C 至 85°C)
    • SN75C3232(0°C 至 70°C)

TRS3232 器件由兩個線路驅動器、兩個線路接收器和一個雙路電荷泵電路組成,具有端子間(串行端口連接端子,包括 GND)±15kV ESD 保護。該器件符合 TIA/EIA-232-F 的要求并在異步通信控制器與串行端口連接器之間提供電氣接口。電荷泵和四個小型外部電容器支持 通過一個 3V 至 5.5V 電源供電運行。這些器件以高達 250kbps 的數據信號傳輸速率和 最大值為 30V/µs 的驅動器輸出壓擺率運行。

TRS3232 器件由兩個線路驅動器、兩個線路接收器和一個雙路電荷泵電路組成,具有端子間(串行端口連接端子,包括 GND)±15kV ESD 保護。該器件符合 TIA/EIA-232-F 的要求并在異步通信控制器與串行端口連接器之間提供電氣接口。電荷泵和四個小型外部電容器支持 通過一個 3V 至 5.5V 電源供電運行。這些器件以高達 250kbps 的數據信號傳輸速率和 最大值為 30V/µs 的驅動器輸出壓擺率運行。

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應用手冊 RS-232 常見問題解答 英語版 2021年 10月 25日
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應用手冊 Removing Ground Noise in Data Transmission Systems 2007年 10月 5日
應用手冊 TIA/EIA-232-F 的接口電路 (Rev. A) 2002年 9月 19日
應用手冊 低電壓、單電源 232 標準接口解決方案 (Rev. A) 2000年 9月 19日

設計和開發

如需其他信息或資源,請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看(如有)。

模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用,包括業內超大的模型庫之一,涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫,您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案,然后再進行布局和制造,可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
模擬工具

TINA-TI — 基于 SPICE 的模擬仿真程序

TINA-TI 提供了 SPICE 所有的傳統直流、瞬態和頻域分析以及更多。TINA 具有廣泛的后處理功能,允許您按照希望的方式設置結果的格式。虛擬儀器允許您選擇輸入波形、探針電路節點電壓和波形。TINA 的原理圖捕獲非常直觀 - 真正的“快速入門”。

TINA-TI 安裝需要大約 500MB。直接安裝,如果想卸載也很容易。我們相信您肯定會愛不釋手。

TINA 是德州儀器 (TI) 專有的 DesignSoft 產品。該免費版本具有完整的功能,但不支持完整版 TINA 所提供的某些其他功能。

如需獲取可用 TINA-TI 模型的完整列表,請參閱:SpiceRack - 完整列表 

需要 HSpice (...)

用戶指南: PDF
英語版 (Rev.A): PDF
參考設計

TIDA-01088 — 使用隔離式分流傳感器參考設計的多相電源質量測量

TIDA-01088 參考設計可在多相電能計量系統中實現電源質量參數測量。將計算總諧波失真 (THD)、基本讀數和標準計量參數(如有功和無功電能和功率)。還會計算相間角,以幫助防止系統安裝錯誤。該設計使用隔離式分流電流傳感器,以在諧波分析中保持精度并防止磁篡改。
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原理圖: PDF
參考設計

TIDA-00839 — 采用低功耗霍爾效應傳感器進行磁篡改檢測的參考設計

磁篡改可使電能計量系統中的任何變壓器癱瘓,這可能會導致無法正確地為系統供電或無法正確地記錄負載消耗的電能。  此設計可實現使用霍爾傳感器檢測磁篡改的 0.2 類三相電能計量系統。  通過主電源和備用電源運行時將啟用磁篡改檢測。  采用了各種方法來降低霍爾傳感器的電流消耗,以便在通過備用電源運行時延長電池壽命。
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原理圖: PDF
參考設計

TIDA-00601 — 采用隔離式分流傳感器的多相能量測量參考設計

TIDA-00601 設計使用隔離式并聯傳感器實現 0.5% 類三相電能計量系統。  通過使用具有電容隔離的輸出電路的隔離式 Delta-Sigma 調制器來實現隔離。  電能計量 SoC 從隔離式調制器獲取不同的比特流,并使用其板載數字濾波器生成 ADC 采樣讀數。  電能計量 SoC 還用于感應電壓、計算計量參數值、驅動電路板 LCD 以及通過電路板的隔離式 RS-232 電路與 PC GUI 通信。

該參考設計使用 ISO7420ISO7421。該參考設計也可以使用 ISO7320CISO7321C。

該參考設計使用 AMC1304M05。該參考設計也可以使用 (...)

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參考設計

TIDA-00163 — 隔離式 RS-232 到 UART 轉換器的參考設計

此設計可實現利用接口到電源本身的殘余電力的隔離式數據轉換器。這樣就不再需要進行跨隔離邊界的成本昂貴的電力傳輸。通過在電表上輕松啟用無處不在的 RS-232 連接,可以用各種各樣的測試站硬件執行工廠配置和校準等功能。

2.5kVRMS 隔離邊界可確?,F場技術人員安全地連接電表,甚至在安裝后執行診斷、數據檢索和現場固件更新。

安裝了可靠的接口以執行診斷、數據檢索和現場固件更新??煽康慕涌谶m用于遠高于 RS-232 標準的數據率,從而確保在任何情況下,隔離都不是設計中的限制因素。

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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SSOP (DB) 16 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 16 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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