TPS7H3302-SEP
- 提供 QMLP TPS7H3302-SP 標準微電路圖 (SMD),5962R14228
- 提供增強型航天塑料封裝供應商項目圖,VID V62/22615
- 電離輻射總劑量 (TID) 特性
- 耐輻射保障 (RHA),耐受高達 100krad(Si) 或 50krad(Si) 的電離輻射總劑量 (TID)
- 單粒子效應 (SEE) 特性
- 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子柵穿 (SEGR)、單粒子燒毀 (SEB) 對于 LET 的抗擾度 = 70MeV-cm2/mg
- 單粒子瞬變 (SET)、單粒子功能中斷 (SEFI) 和單粒子翻轉 (SEU) 特性值高達 70MeVcm2/mg
- 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接應用
- 輸入電壓:支持 2.5V 和 3.3V 電源軌
- 低至0.9V 的獨立低壓輸入 (VLDOIN),可提高電源效率
- 3A 灌電流和拉電流終端穩壓器
- 可實現電源時序的使能輸入和電源正常輸出
- VTT 終端穩壓器
- 輸出電壓范圍:0.5 至 1.75 V
- 3A 灌電流和拉電流
- 具有檢測輸入的精密集成分壓器網絡
- 遙感 (VTTSNS)
- VTTREF 緩沖基準
- 相對于 VDDQSNS (±3mA) 的精度為 49% 至 51%
- ±10mA 灌電流和拉電流
- 集成了欠壓鎖定 (UVLO) 和過流限制 (OCL) 功能
- 塑料封裝
TPS7H3302 是一款具有內置 VTTREF 緩沖器的耐輻射雙倍數據速率 (DDR) 3A 終端穩壓器。該穩壓器專門設計用于為單板計算機、固態記錄器和有效載荷處理等航天 DDR 端接應用提供完整的緊湊型低噪聲解決方案。
TPS7H3302 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應用。憑借快速瞬態響應,TPS7H3302 VTT 穩壓器可在讀取/寫入狀態下提供非常穩定的電源。TPS7H3302 還包含一個用于跟蹤 VTT 的內置 VTTREF 電源,以進一步減小解決方案尺寸。為了實現簡單的電源時序,TPS7H3302 中集成了使能輸入和電源正常輸出 (PGOOD)。使能信號還可用于在掛起至 RAM (S3) 斷電模式時使 VTT 放電。
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技術文檔
設計和開發
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TPS7H3302EVM — TPS7H3302 3A 灌電流和拉電流 DDR 終端 LDO 穩壓器評估模塊
TPS7H3302 (LP085) 評估模塊 (EVM) 是一個用于評估 TPS7H3302-SEP 性能和特性的平臺,TPS7H3302-SEP 是一款耐輻射 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 終端低壓降 (LDO) 穩壓器。
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TIDA-050088 — 適用于 Versal AI Edge 的抗輻射電源參考設計
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| HTSSOP (DAP) | 32 | Ultra Librarian |
訂購和質量
- RoHS
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- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
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