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TPS7H2221-SEP

正在供貨

抗輻射、1.6V 至 5.5V 輸入、1.25A 負載開關

產(chǎn)品詳情

Imax (A) 1.25 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.6 Number of channels 1 Features Inrush current control, Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Quiescent current (Iq) (typ) (μA) 8 Soft start Fixed Rise Time Rating Space Ron (typ) (mΩ) 115 Shutdown current (ISD) (typ) (μA) 0.003 Current limit type Fixed Function Inrush current control, Short circuit protection, Thermal shutdown FET Internal Operating temperature range (°C) -55 to 125 Device type Load switch
Imax (A) 1.25 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.6 Number of channels 1 Features Inrush current control, Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Quiescent current (Iq) (typ) (μA) 8 Soft start Fixed Rise Time Rating Space Ron (typ) (mΩ) 115 Shutdown current (ISD) (typ) (μA) 0.003 Current limit type Fixed Function Inrush current control, Short circuit protection, Thermal shutdown FET Internal Operating temperature range (°C) -55 to 125 Device type Load switch
SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm2 2 x 2.1
  • 提供供應商項目圖，VID V62/22609
  • 電離輻射總劑量 (TID) 為 30krad(Si)
    • 每個晶圓批次的 TID RLAT（輻射批次驗收測試）：20krad (Si)
  • 確定了單粒子效應 (SEE)
    • 單粒子閂鎖 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于有效線性能量傳遞 (LETEFF) 的抗擾度為 43MeV–cm2/mg。
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 對于 LETEFF 的額定抗擾度為 43MeV–cm2/mg。
  • 輸入電壓范圍 (VIN)：1.6 至 5.5V
  • 建議持續(xù)電流 (IMAX)：1.25A
  • 導通電阻 (RON)
    • VIN = 5V 時典型值為 116m?
    • VIN = 3.3V 時典型值為 115m?
    • VIN = 1.8V 時典型值為 133m?
  • 輸出短路保護 (ISC)：3A（典型值）
  • 低功耗：
    • 導通狀態(tài) (IQ)：8.3μA（典型值）
    • 關閉狀態(tài) (ISD)：3nA（典型值）
  • 可限制浪涌電流的慢速導通時序 (tON)：
    • 5V 時的 tON：3.61mV/μs 下為 1.68ms
    • 3.3V 時的 tON：2.91mV/μs 下為 1.51ms
    • 1.8V 時的 tON：2.15mV/μs 下為 1.32ms
  • 可調(diào)節(jié)輸出放電和下降時間：
    • VIN = 3.3V 時內(nèi)部 QOD 電阻= 9.2Ω（典型值）
  • 增強型航天塑料 (SEP)
    • 受控基線
    • 金鍵合線
    • NiPdAu 鉛涂層
    • 一個組裝和測試基地
    • 一個制造基地
    • 軍用級（-55°C 到 125°C）溫度范圍
    • 延長了產(chǎn)品生命周期
    • 延長了產(chǎn)品變更通知 (PCN)
    • 產(chǎn)品可追溯性
    • 采用增強型塑封實現(xiàn)低釋氣
  • 提供供應商項目圖，VID V62/22609
  • 電離輻射總劑量 (TID) 為 30krad(Si)
    • 每個晶圓批次的 TID RLAT（輻射批次驗收測試）：20krad (Si)
  • 確定了單粒子效應 (SEE)
    • 單粒子閂鎖 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于有效線性能量傳遞 (LETEFF) 的抗擾度為 43MeV–cm2/mg。
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 對于 LETEFF 的額定抗擾度為 43MeV–cm2/mg。
  • 輸入電壓范圍 (VIN)：1.6 至 5.5V
  • 建議持續(xù)電流 (IMAX)：1.25A
  • 導通電阻 (RON)
    • VIN = 5V 時典型值為 116m?
    • VIN = 3.3V 時典型值為 115m?
    • VIN = 1.8V 時典型值為 133m?
  • 輸出短路保護 (ISC)：3A（典型值）
  • 低功耗：
    • 導通狀態(tài) (IQ)：8.3μA（典型值）
    • 關閉狀態(tài) (ISD)：3nA（典型值）
  • 可限制浪涌電流的慢速導通時序 (tON)：
    • 5V 時的 tON：3.61mV/μs 下為 1.68ms
    • 3.3V 時的 tON：2.91mV/μs 下為 1.51ms
    • 1.8V 時的 tON：2.15mV/μs 下為 1.32ms
  • 可調(diào)節(jié)輸出放電和下降時間：
    • VIN = 3.3V 時內(nèi)部 QOD 電阻= 9.2Ω（典型值）
  • 增強型航天塑料 (SEP)
    • 受控基線
    • 金鍵合線
    • NiPdAu 鉛涂層
    • 一個組裝和測試基地
    • 一個制造基地
    • 軍用級（-55°C 到 125°C）溫度范圍
    • 延長了產(chǎn)品生命周期
    • 延長了產(chǎn)品變更通知 (PCN)
    • 產(chǎn)品可追溯性
    • 采用增強型塑封實現(xiàn)低釋氣

TPS7H2221-SEP 器件是一款壓擺率可控的小型單通道負載開關。此器件包含一個可在 1.6V 至 5.5V 輸入電壓范圍內(nèi)運行的 N 溝道 MOSFET，并且支持 1.25A 的最大持續(xù)電流。

開關導通狀態(tài)由數(shù)字輸入控制，此輸入可與低壓控制信號直接連接。首次加電時，此器件使用智能下拉電阻來保持 ON 引腳不懸空，直到系統(tǒng)定序完成。按計劃將該引腳驅(qū)動為高電平 (VON>VIH) 之后，便會斷開智能下拉電阻，以防止不必要的功率損耗。

TPS7H2221-SEP 負載開關也具有自保護特性，因此可保護自己免受輸出短路事件的影響。

TPS7H2221-SEP 采用標準 SC-70 封裝，工作環(huán)境溫度范圍為 -55°C 至 125°C。

TPS7H2221-SEP 器件是一款壓擺率可控的小型單通道負載開關。此器件包含一個可在 1.6V 至 5.5V 輸入電壓范圍內(nèi)運行的 N 溝道 MOSFET，并且支持 1.25A 的最大持續(xù)電流。

開關導通狀態(tài)由數(shù)字輸入控制，此輸入可與低壓控制信號直接連接。首次加電時，此器件使用智能下拉電阻來保持 ON 引腳不懸空，直到系統(tǒng)定序完成。按計劃將該引腳驅(qū)動為高電平 (VON>VIH) 之后，便會斷開智能下拉電阻，以防止不必要的功率損耗。

TPS7H2221-SEP 負載開關也具有自保護特性，因此可保護自己免受輸出短路事件的影響。

TPS7H2221-SEP 采用標準 SC-70 封裝，工作環(huán)境溫度范圍為 -55°C 至 125°C。
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技術文檔

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設計和開發(fā)

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評估板

TPS7H2221EVM — 適用于 TPS7H2221 1.6V 至 5.5V 輸入、1.25A 負載開關的評估模塊

TPS7H2221 評估模塊 (EVM) 演示了 TPS7H2221-SEP 負載開關的并聯(lián)運行。此 EVM 允許將并聯(lián)電路分成兩個獨立的單器件電路，并提供可組裝額外無源器件的封裝，以便對定制配置進行測試。

用戶指南: PDF | HTML
TI.com 上無現(xiàn)貨
評估板

ALPHA-3P-ADM-VA601-SPACE-AMD — 采用 AMD Versal Core XQRVC1902 ACAP 和 TI 抗輻射產(chǎn)品的 Alpha Data ADM-VA601 套件

具有 6U VPX 外形，突出了 AMD-Xilinx? Versal AI Core XQRVC1902 自適應 SoC/FPGA。ADM-VA600 采用模塊化板設計，帶有一個 FMC+ 連接器、DDR4 DRAM 和系統(tǒng)監(jiān)控功能。大多數(shù)元件是耐輻射電源管理、接口、時鐘和嵌入式處理 (-SEP) 器件。

訪問合作伙伴網(wǎng)站
仿真模型

TPS7H2221-SEP PSpice Transient Model

SLVMDX7.ZIP (21 KB) - PSpice Model
下載
參考設計

TIDA-050088 — 適用于 Versal AI Edge 的抗輻射電源參考設計

這是一款面向 AMD Versal? AI Edge XQRVE2302 的抗輻射電源架構參考設計。Versal Edge 是一款適用于太空應用的自適應片上系統(tǒng) (SoC)，能夠以小巧外形實現(xiàn)高性能。要在太空環(huán)境中充分發(fā)揮該設計的性能，穩(wěn)健的電力輸送至關重要。該電源設計采用多個器件為各電源軌供電，并配備序列發(fā)生器以實現(xiàn)電源軌的有序啟動與監(jiān)控。
設計指南: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關的參數(shù)、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

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