TPS7H1101-SP
1.5V 至 7V 輸入、3A、超低壓降穩(wěn)壓器
數(shù)據(jù)表
該產(chǎn)品會(huì)持續(xù)為現(xiàn)有客戶提供。新設(shè)計(jì)應(yīng)考慮替代產(chǎn)品。
功能優(yōu)于所比較器件的普遍直接替代產(chǎn)品
TPS7H1101-SP
- 5962R13202:
- 耐輻射保障 (RHA) 高達(dá) 100krad (Si) TID
- 總電離劑量為 100krad (Si)
- 無(wú)低劑量率輻射損傷增強(qiáng) (ELDRS) 100krad (Si)
- 劑量率達(dá) 10mRAD (si)/s
- 單粒子鎖定 (SEL) 對(duì)于
LET 的抗擾度 = 85MeV-cm2/mg - SEB 和 SEGR 對(duì)于
LET 的抗擾度 = 85MeV-cm2/mg - SET/SEFI 啟動(dòng)閾值大于 40MeV-cm2/mg,詳情請(qǐng)參閱輻射報(bào)告
- 專為降低干擾而設(shè)計(jì),以避免損壞重要的下行組件
- 有關(guān) SET/SEFI 橫截面圖的詳細(xì)信息,請(qǐng)參見(jiàn)輻射報(bào)告
- 超低輸入電壓范圍:1.5V 至 7V
- 3A 最大輸出電流
- 電流共享/并聯(lián)工作可提供最高可達(dá) 6A 的輸出電流
- 與陶瓷輸出電容一起工作時(shí)保持穩(wěn)定
- 線路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度為 ±2%
- 通過(guò)外部電容實(shí)現(xiàn)可編程軟啟動(dòng)
- 用于電源排序的輸入使能和電源正常輸出
- 超低壓降 LDO 電壓:
1A (25°C)、VOUT = 1.8V 時(shí)為 62mV - 低噪聲:
VIN = 2V、VOUT = 1.8V、電流為 3A 時(shí)為 20.33 μVRMS - 電源抑制比 (PSRR):1kHz 頻率下超過(guò) 45dB
- 出色的負(fù)載/線路瞬態(tài)響應(yīng)
- 折返電流限制
- 請(qǐng)參見(jiàn)工具和軟件 (Tools & Software) 選項(xiàng)卡
- 耐熱增強(qiáng)型 CFP 封裝 (0.6°C/W RθJC)
TPS7H1101-SP 是一款采用 PMOS 導(dǎo)通元件配置的耐輻射 LDO 線性穩(wěn)壓器。此器件可在 1.5V 至 7V 的寬輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行,同時(shí)提供出色的 PSRR。
TPS7H1101-SP 通過(guò) 極寬的調(diào)節(jié)范圍實(shí)現(xiàn)了精確的可編程折返電流限值功能。為了滿足 FPGA、DSP 或微控制器的復(fù)雜電源要求,TPS7H1101-SP 提供使能導(dǎo)通和關(guān)斷功能、可編程軟啟動(dòng)、電流共享功能以及電源正常開(kāi)漏輸出。
TPS7H1101-SP 采用 16 引腳耐熱增強(qiáng)型陶瓷扁平封裝 (CFP)。
技術(shù)文檔
未找到結(jié)果。請(qǐng)清除搜索并重試。
查看全部 4 | 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | TPS7H1101-SP Total Ionizing Dose (TID) | 2022年 11月 4日 | |||
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | TPS7H1101-SP Neutron Displacement Damage Characterization Report | 2017年 10月 23日 | |||
| * | 數(shù)據(jù)表 | TPS7H1101-SP 1.5V 至 7V 輸入 3A 耐輻射、超低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2017年 2月 21日 |
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | TPS7H1101‐SP TID and SEE Report (Rev. A) | 2015年 4月 27日 |
訂購(gòu)和質(zhì)量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)