TPS7A37
- 與 1μF 或更大的陶瓷輸出電容搭配工作時保持穩定
- 輸入電壓范圍:2.2V 至 5.5V
- 超低壓降電壓:
- 1A 時的最大電壓為 200mV
- 出色的負載瞬態響應 - 即使與僅為 1μF 的輸出電容搭配使用也依舊出色
- NMOS 拓撲結構可提供低反向泄漏電流
- 出色的精度:
- 0.23% 標稱準確度
- 整個線路、負載和溫度范圍內的總精度為 1%
- 關斷模式下的 IQ 典型值小于 20nA
- 用于故障保護的熱關斷和電流限制
應用
- 針對數字信號處理器 (DSP),現場可編程柵極陣列 (FPGA),特定用途集成電路 (ASIC) 和微處理器的負載點調節
- 針對開關電源的后置調節
- 便攜式和電池供電類設備
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TPS7A37 系列線性低壓降 (LDO) 穩壓器在一個電壓隨耦器配置中使用一個 N 溝道金屬氧化物半導體 (NMOS) 導通元件。該拓撲結構對輸出電容值和等效串聯電阻 (ESR) 的敏感度相對較低,從而實現多種負載配置。負載瞬態響應出色,即使與 1μF 小型陶瓷輸出電容搭配工作時也是如此。NMOS 拓撲結構也可實現極低壓降。
TPS7A37 系列使用一個先進的雙極互補金屬氧化物半導體 (BiCMOS) 工藝,可在傳送極低壓降電壓和低接地引腳電流的同時產生高精度。未使能狀態下的電流消耗小于 20nA,非常適合便攜式 應用。這些器件受到熱關斷和折返電流限制的保護。
技術文檔
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查看全部 6 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數據表 | 具有反向電流保護功能的1% 高準確度,1A 低壓降穩壓器 數據表 (Rev. B) | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2016年 5月 27日 | |
| 應用手冊 | A Topical Index of TI LDO Application Notes (Rev. F) | 2019年 6月 27日 | ||||
| 技術文章 | LDO Basics: Preventing reverse current | PDF | HTML | 2018年 7月 25日 | |||
| 選擇指南 | Low Dropout Regulators Quick Reference Guide (Rev. P) | 2018年 3月 21日 | ||||
| 選擇指南 | 低壓降穩壓器快速參考指南 (Rev. M) | 最新英語版本 (Rev.P) | 2017年 1月 5日 | |||
| 用戶指南 | TPS7A37XXDRV-529 Evaluation Module | 2013年 1月 22日 |
設計和開發
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